主题：【求助】有人能告诉我XRF中液氮冷却与电子冷却之间的区别和影响吗？

原文由 nameylf 发表:

原文由 haha8421 发表:

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对于Si（Li）半导体探测器，液氮没有了，最直接的后果是分辨率变差，特别是没有液氮了还进行加电操作。

可以明确跟您讲,如果Si(Li)检测器没有液氮,根本没办法工作又何来的分辨率差之说?其实如果长时间不工作的Si(Li)检测器,只要加入液氮,等他冷却下来自然就没事了,长时间不使用,需要关注的是X光管,而不是检测器.

你说的有些道理。一般情况下，仪器在液氮容器里会加装一个传感器，防止在无液氮的情况下进行加电操作，但这种连锁装置也会有失效的风险，本人就曾经遇到过这种情况，因此，风险总是存在的。关于Si（Li）半导体探测器的问题，我们也可以进行更深入的讨论，大家可以各抒己见，总会有一个正确的结论。

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对于Si（Li）半导体探测器，液氮没有了，最直接的后果是分辨率变差，特别是没有液氮了还进行加电操作。

可以明确跟您讲,如果Si(Li)检测器没有液氮,根本没办法工作又何来的分辨率差之说?其实如果长时间不工作的Si(Li)检测器,只要加入液氮,等他冷却下来自然就没事了,长时间不使用,需要关注的是X光管,而不是检测器.

你说的有些道理。一般情况下，仪器在液氮容器里会加装一个传感器，防止在无液氮的情况下进行加电操作，但这种连锁装置也会有失效的风险，本人就曾经遇到过这种情况，因此，风险总是存在的。关于Si（Li）半导体探测器的问题，我们也可以进行更深入的讨论，大家可以各抒己见，总会有一个正确的结论。

你说的这中风险太小了,一般来说传感器坏了,不工作了,仪器警报灯会亮,仪器就不能工作了.而实际上,Si-PIN检测器最大毛病还是在于测试稳定性不够,特别是重金属样品.不管是那中情况,如果要从性能上比较,不管哪个方面Si-PIN不可能比的过Si-Li.所以说Si-PIN的检测器最大的优势,也就是唯一的优势就在于他的电制冷.但是通常电制冷的方式跟对环境要求很高,如果实验室环境不好,灰尘很多,影响制冷效果,检测器很容易坏,而目前Si-pin检测器寿命长的也只有3年左右,我期待Si漂移检测器的效果.希望能改善Si-PIN检测器分辨率差的问题,同时稳定性又有Si-Li检测器的效果.简单的说,希望Si漂移检测器有Si-Li检测器的效果,同时又不需要液氮的冷却.

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对于Si（Li）半导体探测器，液氮没有了，最直接的后果是分辨率变差，特别是没有液氮了还进行加电操作。

可以明确跟您讲,如果Si(Li)检测器没有液氮,根本没办法工作又何来的分辨率差之说?其实如果长时间不工作的Si(Li)检测器,只要加入液氮,等他冷却下来自然就没事了,长时间不使用,需要关注的是X光管,而不是检测器.

你说的有些道理。一般情况下，仪器在液氮容器里会加装一个传感器，防止在无液氮的情况下进行加电操作，但这种连锁装置也会有失效的风险，本人就曾经遇到过这种情况，因此，风险总是存在的。关于Si（Li）半导体探测器的问题，我们也可以进行更深入的讨论，大家可以各抒己见，总会有一个正确的结论。

你说的这中风险太小了,一般来说传感器坏了,不工作了,仪器警报灯会亮,仪器就不能工作了.而实际上,Si-PIN检测器最大毛病还是在于测试稳定性不够,特别是重金属样品.不管是那中情况,如果要从性能上比较,不管哪个方面Si-PIN不可能比的过Si-Li.所以说Si-PIN的检测器最大的优势,也就是唯一的优势就在于他的电制冷.但是通常电制冷的方式跟对环境要求很高,如果实验室环境不好,灰尘很多,影响制冷效果,检测器很容易坏,而目前Si-pin检测器寿命长的也只有3年左右,我期待Si漂移检测器的效果.希望能改善Si-PIN检测器分辨率差的问题,同时稳定性又有Si-Li检测器的效果.简单的说,希望Si漂移检测器有Si-Li检测器的效果,同时又不需要液氮的冷却.

哈哈，我喜欢这样的技术讨论。发表几个看法，希望你不要介意：
1、你谈到“Si-PIN检测器最大毛病还是在于测试稳定性不够,特别是重金属样品”，这是不对的，探测器的稳定性与探测什么样品是没有关系的，本身对探测器的评价有一些确定的指标，例如：分辨率、能量响应曲线、计数率响应、最高计数率、峰位漂移、峰背比、噪声水平、探测厚度、面积、铍窗厚度，等等，这些指标都是探测器固有的，并不因为测量对象的不同而改变。
2、半导体致冷并不会因为灰尘问题而造成致冷效果变坏，因为致冷单元是和探测器、场效应管等部件做在一起的，完全是在真空密封的环境中，如果有灰尘进入到这些部件里面，探测器早就坏了。
3、目前，从技术上来说，Si-PIN探测器的寿命问题没有确切的试验数据，但按照有关资料来看，Si-PIN的寿命在5—10年，或者按照光子数目计算，在10的12次方量级。
4、对于分辨率指标问题，目前Si（Li）和Si-PIN都是在150ev左右，并没有什么差别。况且，单纯讨论分辨率没有任何意义，因为分辨率和成型时间、计数率等条件都有直接的关系，真正有意义的数据是所有技术指标的综合评价。
以上是本人的看法，欢迎各位参与讨论。

原文由 nameylf 发表:
最近几天，针对Si（Li）半导体探测器的问题重新查阅了一些资料，并与有关技术专家进行了讨论，现在，我可以更加肯定的说：Si（Li）半导体探测器在常温下保存时，如果时间过长，对探测器的损害是致命的。也就是说，采用Si（Li）半导体探测器的X荧光分析仪必须保证液氮的冷却！

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对于Si（Li）半导体探测器，液氮没有了，最直接的后果是分辨率变差，特别是没有液氮了还进行加电操作。

可以明确跟您讲,如果Si(Li)检测器没有液氮,根本没办法工作又何来的分辨率差之说?其实如果长时间不工作的Si(Li)检测器,只要加入液氮,等他冷却下来自然就没事了,长时间不使用,需要关注的是X光管,而不是检测器.

你说的有些道理。一般情况下，仪器在液氮容器里会加装一个传感器，防止在无液氮的情况下进行加电操作，但这种连锁装置也会有失效的风险，本人就曾经遇到过这种情况，因此，风险总是存在的。关于Si（Li）半导体探测器的问题，我们也可以进行更深入的讨论，大家可以各抒己见，总会有一个正确的结论。

你说的这中风险太小了,一般来说传感器坏了,不工作了,仪器警报灯会亮,仪器就不能工作了.而实际上,Si-PIN检测器最大毛病还是在于测试稳定性不够,特别是重金属样品.不管是那中情况,如果要从性能上比较,不管哪个方面Si-PIN不可能比的过Si-Li.所以说Si-PIN的检测器最大的优势,也就是唯一的优势就在于他的电制冷.但是通常电制冷的方式跟对环境要求很高,如果实验室环境不好,灰尘很多,影响制冷效果,检测器很容易坏,而目前Si-pin检测器寿命长的也只有3年左右,我期待Si漂移检测器的效果.希望能改善Si-PIN检测器分辨率差的问题,同时稳定性又有Si-Li检测器的效果.简单的说,希望Si漂移检测器有Si-Li检测器的效果,同时又不需要液氮的冷却.

哈哈，我喜欢这样的技术讨论。发表几个看法，希望你不要介意：
1、你谈到“Si-PIN检测器最大毛病还是在于测试稳定性不够,特别是重金属样品”，这是不对的，探测器的稳定性与探测什么样品是没有关系的，本身对探测器的评价有一些确定的指标，例如：分辨率、能量响应曲线、计数率响应、最高计数率、峰位漂移、峰背比、噪声水平、探测厚度、面积、铍窗厚度，等等，这些指标都是探测器固有的，并不因为测量对象的不同而改变。
2、半导体致冷并不会因为灰尘问题而造成致冷效果变坏，因为致冷单元是和探测器、场效应管等部件做在一起的，完全是在真空密封的环境中，如果有灰尘进入到这些部件里面，探测器早就坏了。
3、目前，从技术上来说，Si-PIN探测器的寿命问题没有确切的试验数据，但按照有关资料来看，Si-PIN的寿命在5—10年，或者按照光子数目计算，在10的12次方量级。
4、对于分辨率指标问题，目前Si（Li）和Si-PIN都是在150ev左右，并没有什么差别。况且，单纯讨论分辨率没有任何意义，因为分辨率和成型时间、计数率等条件都有直接的关系，真正有意义的数据是所有技术指标的综合评价。
以上是本人的看法，欢迎各位参与讨论。

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朋友，等你把资料看明白了，我们再来讨论，好吗？

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