主题：【线上活动第二期】华山论剑之能谱 主讲人：德国工兵(活动结束)

您好：
1.给您一个相关的链接剑桥大学微束分析官方网站，里面您可以找到所有关于微束的答案，有些资料我也是从这个网站看到的。
http://journals.cambridge.org//action/quickSearch
2.关于SDD为什么可以在零下25工作，我有过类似的解释，在回复贴中，不在我的原帖里面，大致如下：
首先强调一点：不是所有的SDD工作温度都是零下25度左右，只有FET和Crystal一体设计的SDD才能在这样的温度下工作。很多厂商的指标是-70度。
FET和晶体一体设计的SDD探测器内部电容相比Si（Li）要小很多，因此内部噪音小；
SDD没有Li离子掺杂，因此无需液氮的低温来限制Li离子的活性
总结一下就是：SDD在-25度即可获得较高的信噪比，因此无需液氮制冷来维持信噪比。希望我的回复能够解决您的问题。谢谢！！！

原文由 tao______ 发表:
谢谢您的支持，由于文章篇幅有限，只是粗略的介绍了一些背景，关于细节方面的东西的确没有过多的引用，如果有可能的话，我找上一些国外比较权威的期刊链接给您！
关于SDD为什么能够在较高的温度下探测，之前我已经有相关的解释，请查看我的帖子，谢谢！！！

原文由 handsomeland 发表:
以前看过德国工兵的帖子，口碑有褒有贬。
进来看了一下，确实学了一些新的东西，至少从仪器产商的视角看到能谱的概貌，谢谢德国工兵！
同时，本人对技术细节比较着迷，有两个问题想请教一下：
1、关于能谱发展的几个重大创新，能不能分别给一下文章引用或者专利引用，毕竟口说无凭
2、SDD技术为什么能够在较高温度下探测的原理能不能多讲讲，谢谢！

手头有一篇关于INTERGRATED FET SDD 的文章，作者是MPI实验室的，截图如下：
1.第三代分辨率就能测到123eV了，MPI实验室的文章，算权威了吧

2

3第三代MPI实验室的SDD探测器，碳元素的分辨率可以测到45eV了

能说一点关于能谱的基本介绍吗?

实验室污染环境的问题可以考虑一下,要是地震中实验室倒了.那我们应该怎么办?

谢谢德国工兵的回复！
给几个comments：
1、您贴的文献用截图的方法对别人和对您自己都是不人性化的，我找到了这篇文献的pdf链接，供有兴趣的人下载，如果您愿意，请将此链接附加在您贴的图附近，谢谢！
Optimum Performance for Microanalysis with Silicon Drift detectors---MicroscMicroanal.pdf
2、您用“权威”来定性资料的做法我不赞赏，可能我不太理解一些商业用语，很抱歉，但我认为资料是否有价值，其判断权利在读者，就您提供的这篇资料来看，在下认为价值非常有限，与其说是论文，不如说是个广告(只有一页产品特点说明文字，没有参考文献)。

3、本人自己也找了一些参考资料，算是对德国工兵提供资料的补充，供有兴趣的人下载，然后做更深入的讨论：
i)能谱经典参考书（强烈推荐！尤其是对于想了解能谱探测器基础的朋友，希望楼主疯子哥结贴的时候整理到显目位置。）：
Semiconductor Radiation Detectors.pdf

ii)参考论文（相信对能谱研发者和用户是很不错的参考，也希望疯子哥结贴时整理，谢谢！）：
[1]Silicon Drift Detectors for High Resolution Room Temperature X-ray Spectroscopy, Nucl. Instr. Meth. A (1996) 346
Silicon Drift Detectors for High Resolution Room Temperature X-ray Spectroscopy---NuclInstrumMethA.pdf
[2]Progress in Semiconductor Drift Detectors, Nucl. Instr. Meth. A 248 (1986) 367
Progress in semiconductor drift detectors---NuclInstrumMethA.pdf
[3]G. Gramegna, et al, "Designing a Linear Silicon Drift Detector" IEEE Trans. on Nuclear Science, vol.42, NO. 5, 1497 October (1995)
Designing a Linear Silicon Drift Detector---IEEE.pdf
[4]A. Rashevsky, et al, "New Developments on Silicon Drift Detectors" Il Nuovo Cim. A 109:1261-1268,1996
New Developments on Silicon Drift Detectors---ilNuovoCimA.pdf

4、给中国人传达信息有两种取向，一种是外国人是神，完美的神，放心用他们的就是了，不用是傻瓜，掩盖其中问题，或为问题寻找托辞。另一种是剖析技术揭示外国人就这两下子，优点值得肯定，我们学习，但不足的地方就是我们发展的契机，要勇于挖掘，鼓励大家思考问题，带着问题去思考，相信中国人经过自己的努力一定可以超越他们！第二种取向相对艰难，因为技术上目前差距还相当大，但从我做材料的角度来看在半导体器件的原理上实际上真的就这两下子，中国当下的技术平台和技工素质正在改进，希望在前方，拥有信心和团结没有超越不了的！如果德国工兵能抱守第二种我将十分欣赏，当然抱守第一种无可厚非，只要不要将商品宣传和知识传播掺和太多，您是非常受欢迎的！

我觉得能谱技术在我国的分析检测领域应用不是很普遍的，学习了。

谢谢您的建议，贴图只是因为我手头刚好有这篇文章，所以就直接贴图了，没有再去找链接，谢谢你帮忙把链接找出来。
您认为是广告，不知道文中哪里让您觉得有广告的嫌疑？套用一句俗话：我不同意您的说法，但我还是捍卫您说话的权利。
关于SDD，如果MPI不算权威机构的话，不知道哪里算得上权威？您引用的文章也是MPI的，呵呵
这里很多都是仪器用户，比较关心的是通俗的理论仪器相关的历史，关于学术上深奥理论上的研究，我个人感觉感兴趣的人不会太多，不知道您意下如何？看了您的附件推荐的文章，说实话，理论性太强，搞半导体器件研究的可能会更感兴趣。不过还是感谢您的辛勤劳动。谢谢了，您的链接我都下了。

原文由 handsomeland 发表:
谢谢德国工兵的回复！
给几个comments：
1、您贴的文献用截图的方法对别人和对您自己都是不人性化的，我找到了这篇文献的pdf链接，供有兴趣的人下载，如果您愿意，请将此链接附加在您贴的图附近，谢谢！



Optimum Performance for Microanalysis with Silicon Drift detectors---MicroscMicroanal.pdf
2、您用“权威”来定性资料的做法我不赞赏，可能我不太理解一些商业用语，很抱歉，但我认为资料是否有价值，其判断权利在读者，就本资料来看，在下认为价值非常有限，与其说是论文，不如说是个广告。
3、本人自己也找了一些参考资料，算是对德国工兵提供资料的补充，供有兴趣的人下载，然后做更深入的讨论：
i)能谱经典参考书（强烈推荐！尤其是对于想了解能谱探测器基础的朋友，希望楼主结贴的时候整理到显目位置。）：
Semiconductor Radiation Detectors.pdf

ii)参考论文，现在给citation，如果版友有兴趣，回单位后给再下全文奉献给大家：
[1]Silicon Drift Detectors for High Resolution Room Temperature X-ray Spectroscopy, Nucl. Instr. Meth. A (1996) 346
[2]Progress in Semiconductor Drift Detectors, Nucl. Instr. Meth. A 248 (1986) 367
[3]G. Gramegna, et al, "Designing a Linear Silicon Drift Detector" IEEE Trans. on Nuclear Science, vol.42, NO. 5, 1497 October (1995)
[4]A. Rashevsky, et al, "New Developments on Silicon Drift Detectors" Il Nuovo Cim. A 109:1261-1268,1996

一直在潜水学习德国工兵的帖子，德国工兵讲的很好啊，大家都很感兴趣！

    链接这东西，我觉得大家都可以找到，可以贴的！大陆兄弟要不你也搞个在线讲座，搞篇文章给我们用户讲讲？？我们举双手赞成啊！呵呵....