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主题：【求助】XPS谱图中关于SiO的峰位，及是否存在SiO？

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zuochangyun
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发表于：2008/11/10 20:09:15 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
各位大侠，
    小弟还有一问，就是我附件中表示的小峰，是不是SiO的问题？
    首先说明一下，我的样品没有掺杂别的物质，只是Si片上做了一层薄薄的SiO2，当然有可能污染上别的什么杂质，这个就不得而知了呐。
    其次，我的样品放置了大约3个月（在通常所见的玻璃干燥器中），之后拿去测得XPS。
    再次，XPS结果显示我样品中的Si、O（我主要对Si和O两元素感兴趣）原子个数比略高于1：2，不到2.5，也就是说样品中的O若按SiO2算的话氧是稍过量的。
    我想弄清楚的是旁边的小峰对应的是不是SiO的Si-2p？很让人头疼的问题。让人百思不得其解呢。

哪位大家帮帮忙，小弟这厢有礼了啊。

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feixiong5134
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2008/11/10 21:31:27 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
我不敢确定你小峰是什么物质
但是有一点我向说明
si和O不能用二者的比值来确定二者的定量关系。
因为既然你有污染C
那么C就有一部分和O结合
所以这样一定会造成si：o的比列小于2
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feixiong5134
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2008/11/10 21:32:32 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
你的物质一定是si的一种化合物
因为从你的宽扫图看就没有其他物质
但是因为我对Si不熟悉
所以不能给你什么好的建议
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zuochangyun
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2008/11/10 22:03:46 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 feixiong5134 发表:
你的物质一定是si的一种化合物
因为从你的宽扫图看就没有其他物质
但是因为我对Si不熟悉
所以不能给你什么好的建议



老大，您的第一句话已经给了我我一颗定心丸吃了，
真地非常非常地感谢您啊！
虽然依然没得到想要的答案，但是至少自己的猜想没得到否定，呵呵
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icecutie
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2008/11/14 9:58:47 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
你的Si2p谱图中，有两个Si2p的谱峰，这说明在你的样品中Si是以两种化学状态存在的，高结合能处的Si2p归属于SiO2中的Si，而在低结合能处的Si2p（即那个小峰）应该是Si的另外一种化学状态，可能是硅酸盐或者硅树脂。这一点您要结合您的实验过程来分析！
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icecutie
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2008/11/14 10:00:32 地板 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
另外，如果您确实想要知道Si与O的比例的话，可以先对样品做XPS的表面清洁，然后来测Si和O的比例，这样可以消除表面污染物中的C和O的影响，含量比会更准确一点.
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zuochangyun
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2008/11/14 10:52:18 6楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 icecutie 发表:
你的Si2p谱图中，有两个Si2p的谱峰，这说明在你的样品中Si是以两种化学状态存在的，高结合能处的Si2p归属于SiO2中的Si，而在低结合能处的Si2p（即那个小峰）应该是Si的另外一种化学状态，可能是硅酸盐或者硅树脂。这一点您要结合您的实验过程来分析！


感谢icecutie的热情回复，可是我的样品只是溅射上一层Si，之后
空气中热氧化生成SiO2，然后做XPS的，这个过程的产物不应该过于复杂的呀，您说是不是呢？

不知您考虑可能是哪一种基团导致的呢？
感谢您的不吝赐教啊！~
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zuochangyun
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2008/11/14 11:02:55 7楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 icecutie 发表:
另外，如果您确实想要知道Si与O的比例的话，可以先对样品做XPS的表面清洁，然后来测Si和O的比例，这样可以消除表面污染物中的C和O的影响，含量比会更准确一点.


我的样品后来又用Ar+对表面轰击了5min，重新做的Si-2p和O-1s的图谱，
从生成的报告来看，好像轰击之后的氧含量比轰击之前的更多了，您说这个应该怎么理解呢？我都快崩溃了。
我算的是Atomic Conc % 这一项对应的二者的比例，
大致结果如下：
    未经轰击的O：Si=2.324
    经轰击的O：Si=2.367

另外还做了一组相对来说温度较低的样品，其中Atomic Conc % 这一项对应的二者的比例，
大致结果如下：
    未经轰击的O：Si=2.159
    经轰击的O：Si=2.197


您说这个该怎么理解呢？

感谢icecutie的热心回复和热心指导。
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feixiong5134
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2008/11/17 11:08:51 8楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 zuochangyun 发表:
原文由 icecutie 发表:
另外，如果您确实想要知道Si与O的比例的话，可以先对样品做XPS的表面清洁，然后来测Si和O的比例，这样可以消除表面污染物中的C和O的影响，含量比会更准确一点.


我的样品后来又用Ar+对表面轰击了5min，重新做的Si-2p和O-1s的图谱，
从生成的报告来看，好像轰击之后的氧含量比轰击之前的更多了，您说这个应该怎么理解呢？我都快崩溃了。
我算的是Atomic Conc % 这一项对应的二者的比例，
大致结果如下：
    未经轰击的O：Si=2.324
    经轰击的O：Si=2.367

另外还做了一组相对来说温度较低的样品，其中Atomic Conc % 这一项对应的二者的比例，
大致结果如下：
    未经轰击的O：Si=2.159
    经轰击的O：Si=2.197


您说这个该怎么理解呢？

感谢icecutie的热心回复和热心指导。


因为Ar离子轰击
有择优溅射的问题
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feixiong5134
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2008/11/17 11:09:23 9楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
很多人做过Si膜的溅射
你可以查查论文
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xcxps
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2008/11/18 16:33:48 10楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
完全有可能是SiO,Si的氧化态结合能：一价100.15ev,二价100.95ev,三价101.68ev,四价103.2ev.
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