“还有点我不明白:就是SIM scan或MS/MS模式isolating ions时m/z大于要监测的离子的是怎么被eject的?”
我来试试看解释一下这个问题
其实加载到四级杆上的DC和RF电压使得四级杆内产生一个变化的电场,而变化的电场又产生变化的磁场(电磁感应现象)。带点离子通过的时候,其实就是切割磁力线的匀速运动。
在选定的m/z下,这个能量场只允许某一个或某一范围内的m/z离子通过。更大的m/z离子因为场给予的能量不足将逐渐减速而从四级杆空隙跑出。更小的m/z离子因场能大于其自身能量,而加速飞离四级杆。
故而最后达到检测器的仅是你选定的m/z离子
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简单得说,离子阱能囚禁的离子质量与所用射频的频率的平方成反比,与其幅度成反比。通常是固定频率,从小到大扫描幅度,其囚禁的离子以质量从小到大的次序就出来了。
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还有点我不明白:就是SIM scan或MS/MS模式isolating ions时m/z大于要监测的离子的是怎么被eject的?还有Endcap上的tailored RF waveform和resonance eject RF都是什么样的电压,怎么作用的?