主题:【求助】ICP-MS,半导体行业,做标准曲线,标准加入法,总是出现才加标的第一点总是在曲线下方,为什么?是因为环境污染还是因为初次加标就是这样的情况?

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风起云飘舞
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ICP-MS,半导体行业,做标准曲线,标准加入法,总是出现才加标的第一点总是在曲线下方,为什么?是因为负污染还是因为加标的第一点融入到硝酸基体中,所得的计数值就低点?或者需要注意什么?当相关系数r为两个9时,这样做出来的数据可以吗?
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kiwi-kids
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原文由 zhckj 发表:
ICP-MS,半导体行业,做标准曲线,标准加入法,总是出现才加标的第一点总是在曲线下方,为什么?是因为负污染还是因为加标的第一点融入到硝酸基体中,所得的计数值就低点?或者需要注意什么?当相关系数r为两个9时,这样做出来的数据可以吗?


基体是硅还是其它的
醉卧红尘
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线形为2个九时,误差比较大,尤其半导体行业,最起码应该在3个九以上吧。
风起云飘舞
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原文由 zhengxxx 发表:
原文由 zhckj 发表:
ICP-MS,半导体行业,做标准曲线,标准加入法,总是出现才加标的第一点总是在曲线下方,为什么?是因为负污染还是因为加标的第一点融入到硝酸基体中,所得的计数值就低点?或者需要注意什么?当相关系数r为两个9时,这样做出来的数据可以吗?


基体是硅还是其它的

是硅,
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原文由 wenhuih 发表:
线形为2个九时,误差比较大,尤其半导体行业,最起码应该在3个九以上吧。

但是想把所有的都做成3个九以上太难了,基本是不肯能实现的,特别当浓度很低的时候,PPT
kiwi-kids
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有一种可能是样品基体还没有在ICP以及锥口上实现平衡
一般如果低点线性不好还应该伴随着较差的精度吧
nps
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原文由 zhckj 发表:
ICP-MS,半导体行业,做标准曲线,标准加入法,总是出现才加标的第一点总是在曲线下方,为什么?是因为负污染还是因为加标的第一点融入到硝酸基体中,所得的计数值就低点?或者需要注意什么?当相关系数r为两个9时,这样做出来的数据可以吗?


基体是硅还是其它的

是硅,

有可能基体浓度高了,对低浓度的标准影响比较大...
chauchylan
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在添加时,通常建议第一个添加的量应使被分析的量增加100%,随后的添加量与第一个添加相同...这样可减小误差...
风起云飘舞
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现在延长样品的进样稳定时间了,基本解决了低点偏低的状态。只是每次每个浓度点进样两次,然后再修改曲线,去除高点,不知道这样的做法是否可取?
taolun
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这种做法不可取,应找出问题原因所在,再进行处理,否则不能保证测试结果的准确性.

kiwi-kids
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原文由 zhckj 发表:
现在延长样品的进样稳定时间了,基本解决了低点偏低的状态。只是每次每个浓度点进样两次,然后再修改曲线,去除高点,不知道这样的做法是否可取?


如果基体太高,进样过程会不断伴随着灵敏度漂移,那么标准加入法的意义就不大了
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