主题:【求助】ICP-MS测试6N级硅片

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frank982
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同样的硅片,处理后测试结果会相差几十ppb,折算后大概相差4个ppm,同样SIMS测试结果就很稳定?请问各位这是什么原因呢?
还有想问下各位,要求得到硅片整体纯度,哪种处理方法更好一些?
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nps
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原文由 frank982 发表:
同样的硅片,处理后测试结果会相差几十ppb,折算后大概相差4个ppm,同样SIMS测试结果就很稳定?请问各位这是什么原因呢?
还有想问下各位,要求得到硅片整体纯度,哪种处理方法更好一些?

不知道楼主测的是硅片表面杂质还是硅片的基体杂质...如果是表面杂质,有可能是:
1、样品处理前没有对硅片表面进行清洗;
2、测试时溶液中基体浓度不一样;
3、实验室环境及操作的影响;
暂时想到这几点...
frank982
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硅片基体的杂质,分析纯度用的哦。环境为千级净化间,验收过了。前清洗是别人做的,不知道是否对清洗硅片用试剂有何要求?GR试剂清洗后用超纯水浸泡过夜可以么
nps
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原文由 frank982 发表:
硅片基体的杂质,分析纯度用的哦。环境为千级净化间,验收过了。前清洗是别人做的,不知道是否对清洗硅片用试剂有何要求?GR试剂清洗后用超纯水浸泡过夜可以么

不知道用的什么清洗剂?TMAH?
风起云飘舞
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原文由 frank982 发表:
硅片基体的杂质,分析纯度用的哦。环境为千级净化间,验收过了。前清洗是别人做的,不知道是否对清洗硅片用试剂有何要求?GR试剂清洗后用超纯水浸泡过夜可以么

用超纯的清洗、溶样再看,
frank982
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溶样用的是PTFE烧杯,感觉做完以后方法空白比较大,是不是这个原因?
frank982
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用国内电子级酸来浸泡,然后用密理博的超纯水反复清洗,最后才进行溶样实验
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