主题：【华山论剑第三十六集】Source CID大家谈

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2009/3/10 9:15:02 12楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

以下转自本版本版老版主瓢虫发的一个帖子，与大家分享：

Source CID与分子离子峰的关系：
瓢虫：最近在做阿奇霉素，分子量749，用的是Thermo 的TSQ Quantum Discovery MAX
发现：不加Source CID，出的峰是[M+H]+，m/z:750,信号强度：8*10的5次方。
加Source CID，出的峰是[M+2H]+/2，m/z:375.5,信号强度：1.5*10的7次方。
大家讨论一下，到底是怎么回事呢？

guanzm1997：加源内CID的目的是为了打碎一些不稳定的加合离子如加钠加钾峰，或是打碎很稳定的化合物。楼主说的这种情况，有意思，还请遇到过的朋友来谈谈。

瓢虫：我仔细看了一下，阿奇霉素有两个很容易加上氢离子的基团，所以一加点源内CID，就容易带上双电荷，响应也更好！
因此，做多肽时是不是也可以考虑加上源内CID，使待测分子的带电中心都带上电荷，这样信号会好一点。

guanzm1997：有道理呀，很有道理，哈哈哈，斑竹厉害。

瓢虫：此外，选用带多电荷的母离子做定量时需注意：子离子的扫描范围要宽一点（可以选择全扫描），比如阿奇霉素我选375作为母离子，其最大碎片是591，我如果扫描范围定在30-400就找不到了。

tanzr77：这种情况有点意思，但是有点弄不明白，既然CID已经把离子打碎了，那么375的离子怎么会出现比它大的子离子呢？

瓢虫：375是带两个电荷的，打碎后得到的碎片带一个电荷，故 m/z值会大一点。

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2009/3/10 9:33:24 13楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

以下转自分析测试百科网：
snow_white：
在串联质谱还不普及的三年前，很多人夸大单级质谱的作用，比如：单级四极杆、LC-TOF、MALDI-TOF，说，液质你不是只看到分子离子峰么？你不是需要更多的碎片信息么？这里，我就可以做CID（其实是源内CID），给你想要的碎片。然后，他就拿一张标样的图，给你show一下，显示低电压时是分子离子峰，提高skimmer或orifice电压后，就可以得到碎片峰。

后来，人们在真正实验中，认识到我们其实不是在做标样，液质的基质干扰和溶剂本底干扰很大，如果不分离出要的离子，直接作CID，会给出一系列不能解释的峰。

所以，现在大家都喜欢LC/MS/MS了。

在串联四极杆中，源内CID指在离子源内加一定的电压（Source CID），对化合物的离子化进行优化，可减弱溶剂加合离子的影响。

对于Thermo的TSQ仪器，Source CID建议设置在8-12之间，此外加不加Source CID对信号影响应在20％左右，否则可能是仪器出现问题的征兆。

源内CID不能取代LC-MS-MS（即真正的CID或CAD）

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