紫外可见分光光度计(UV)

主题:【求助】(ok)请教禁带宽度的问题

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yzjiang
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各位大侠,小弟最近在做CeO2光学性质方面的工作,但无奈水平有限,有些问题想请教大家:
1. 在做带宽计算的时候,是用直接还是间接的带宽计算公式合适?有什么区别?具体文章里面写的话应该怎么做?
2. 附件是带宽计算的拟合图,可以说存在两个带宽吗?1.0附近和3.2附近的?那如果是这样的话,这两个分别代表什么含义呢?对CeO2而言正常吗?因为发现文献里面大多只出现了后面3.2附近的带宽,前面的一般都没有。

多谢大家了,请各位指教!
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Spain
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原文由 nemoium 发表:
不大明白,图的纵坐标代表什么?



我感觉楼主将图显示为反射率/透射率-波长值可能会比较好判断些。
祥子
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原文由 spain 发表:
原文由 nemoium 发表:
不大明白,图的纵坐标代表什么?



我感觉楼主将图显示为反射率/透射率-波长值可能会比较好判断些。


我感觉,楼主帖子发错地方了。
tutm
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楼主的问题是光学晶体研究方面的吧?应该属于物理光学范畴。
请将主贴转移到相应的版面,以免耽误了。
yzjiang
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原文由 tutm 发表:
楼主的问题是光学晶体研究方面的吧?应该属于物理光学范畴。
请将主贴转移到相应的版面,以免耽误了。


好像没找到其他更合适的版面啊:(之前看过有人在这个版面问禁带宽度的问题的,应该会有人能帮助的吧

先多谢大家了:)
Spain
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原文由 nemoium 发表:
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不大明白,图的纵坐标代表什么?



我感觉楼主将图显示为反射率/透射率-波长值可能会比较好判断些。


我感觉,楼主帖子发错地方了。


以前看到过光度计测试带隙的文献(见我的附件),我还以为这个是一个类型的呢。
半导体带隙测定
祥子
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原文由 spain 发表:
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不大明白,图的纵坐标代表什么?



我感觉楼主将图显示为反射率/透射率-波长值可能会比较好判断些。


我感觉,楼主帖子发错地方了。


以前看到过光度计测试带隙的文献(见我的附件),我还以为这个是一个类型的呢。
半导体带隙测定


以前倒是在论坛看到别人讨论过用分光测禁带宽度的。
大陆
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不知道您这个图是如何计算出来的,如果愿意还望不吝赐教。

1.2eV和3.2eV我认为存在gap,具体的要结合Ce-O之间的轨道杂化情况,因为我没搞过这个材料,所以无法进行更深讨论。

第一个问题我也期待计算相关专家来解答。
yzjiang
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原文由 handsomeland 发表:
不知道您这个图是如何计算出来的,如果愿意还望不吝赐教。

1.2eV和3.2eV我认为存在gap,具体的要结合Ce-O之间的轨道杂化情况,因为我没搞过这个材料,所以无法进行更深讨论。

第一个问题我也期待计算相关专家来解答。


图是根据固体能级理论的假设算出来的,根据吸收系数和能量之间的关系,作图做出来的。

现在就很纳闷前面一个带宽,文献中好像根本就查不到前面带宽,一般做出这个图后只存在后面3.2的带宽,所以就很想知道这个带宽从哪儿来,是否能拓宽材料的应用?
大陆
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原文由 yzjiang 发表:
图是根据固体能级理论的假设算出来的,根据吸收系数和能量之间的关系,作图做出来的。

这不等于没有回答吗?
我是想具体问,您使用了哪个公式或函数;使用了什么初始值?
当然,如果你只是使用傻瓜软件的话(画结构图-点击计算菜单-出图),那肯定做不了更多讨论,那当我没问好了。
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