紫外可见分光光度计(UV)

主题:【求助】(ok)请教禁带宽度的问题

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neuls
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图的纵坐标是0.5次幂,算出来的当然应该是直接带宽吧
如果算间接禁阻的,似乎应该用2次幂
另外,如果移步到“分光光度计”版,会多一点讨论。
该帖子作者被版主 handsomeland2积分, 2经验,加分理由:谢谢讨论,这本来是从分光版转过来的。
daviddht
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你算的是直接带隙的禁带宽度,你画出的两个禁带宽度值其实对应的是同一个吸收峰的两个吸收边,就我所知应该取能量较大的那个吸收边所对应的值。就你这张图来说,应该取3.2ev,而不是1.0ev。
cathyee
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(αhν)n=A(Eg-αhν)
α-材料吸收系数,
hν-光子能量,
直接带隙(n=2),间接带隙(n=0.5)
A-常数,
Eg-能带宽度。
参考tauc plot。

从你给的图上3.1eV附近的是一个间接能带,1.0eV的那个是不是有杂质引起的?
你在确定一下你的材料是不是纯的CeO2看看
该帖子作者被版主 handsomeland5积分, 2经验,加分理由:谢谢参与讨论
大陆
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原文由 cathyee(cathyee) 发表:
(αhν)n=A(Eg-αhν)

关于这个式子,吸收系数α为什么要与ν乘积作为整体变量?而原始实验结果应该是α(ν)吧。
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cathyee
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原文由 大陆(handsomeland) 发表:
原文由 cathyee(cathyee) 发表:
(αhν)n=A(Eg-αhν)

关于这个式子,吸收系数α为什么要与ν乘积作为整体变量?而原始实验结果应该是α(ν)吧。



hν是照在被测试材料上的光子能量。原始数据是一般是Abs(Absorbance)-wavelength, Abs不是材料的吸收系数α。二者的关系是:
Abs=0.434α×t
α uint cm-1
t is thickness, in unit cm.
大陆
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原文由 cathyee(cathyee) 发表:
hν是照在被测试材料上的光子能量。原始数据是一般是Abs(Absorbance)-wavelength, Abs不是材料的吸收系数α。二者的关系是:
Abs=0.434α×t
α uint cm-1
t is thickness, in unit cm.

哦,α原来是厚度归一的absorbability。
其中0.434是随材料或仪器不变的量吗?另外,α为什么要与ν乘积作为整体变量我还是不明白。
直接带隙与间接带隙的确定方法原理在wiki上的介绍:
http://en.wikipedia.org/wiki/Direct_and_indirect_band_gaps
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2010/7/21 15:28:56 Last edit by handsomeland
fyf_520
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大陆
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关于吸收边-能量关系确定带隙的基本知识,有心者可以参考下面图书的公式3-25与3-35.
Optical properties of solids_M. Fox-2001.pdf
下图是该书的图3.10,可以更直观的体现间接带隙与直接带隙的差异。

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2010/7/21 15:46:14 Last edit by handsomeland
大陆
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回到楼主的问题,我认为可能存在两个带隙,这是不矛盾的。一个是直接一个是间接的,甚至有可能两个均是间接的。类比上图中Ge的两个带隙0.8eV的直接与0.66的间接带隙。对照其能带图这个不矛盾一目了然,图示如下(源自楼上book的图3.9)。
建议楼主分别以2与0.5的指数随能量做图,反映直接和间接带隙,单纯一个曲线关系很难同时分析两者。
至于这两个能量分别是什么,从你的实验结果难以一目了然看出,需要具体结合文献中的能带结构图分析。
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2010/7/21 16:18:31 Last edit by handsomeland
大陆
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原文由 Spain(spain) 发表:
以前看到过光度计测试带隙的文献(见我的附件),我还以为这个是一个类型的呢。
半导体带隙测定

这个方法是测反射谱,而非吸收谱,因此是非定量的方法,我认为。

原文由 songlcn(songlcn) 发表:
图的纵坐标是0.5次幂,算出来的当然应该是直接带宽吧

非也,0.5次幂对应间接带隙。

//btw, 本版太冷,关心可见紫外光谱的人更少,还是返回分光版吧。
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2010/7/21 17:26:17 Last edit by handsomeland
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