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主题：【求购】请问C-S键的形成对C1s结合能的影响

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wangj12
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发表于：2009/05/26 16:33:51 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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我有一个碳质材料的样品，C1s有三个峰，结合能分别为284.6，286.0，289.4 eV。在嫁接了一些含硫物质后，在287.6 eV附近出出现一个新峰，且289.4处的半峰宽增加。
请问:引起上述变化的原因？这能看出来生成类似C-S键码？C-S键的结合能范围一般在多少？
我开始以为287.6 eV可能是由C-S键的生成引起的，可是看了一些资料，说S对C1s结合能的初级效应非常小（~0.4 eV，初级效应即直接接在C原子上）。不太明白说的什么意思。
麻烦大虾出来赐教，在此谢过。
推荐答案：minghsic回复于2009/06/15
Here is the reference paper mentioning C-S bond about 287 eV.

Adsorption of 11-Mercaptoundecanoic Acid on
Ni(111) and Its Interaction with Probe Molecules
Andrew D. Vogt, Taejoon Han, and Thomas P. Beebe
Langmuir, 1997, 13 (13), 3397-3403
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2009/6/15 3:07:26 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
Here is the reference paper mentioning C-S bond about 287 eV.

Adsorption of 11-Mercaptoundecanoic Acid on
Ni(111) and Its Interaction with Probe Molecules
Andrew D. Vogt, Taejoon Han, and Thomas P. Beebe
Langmuir, 1997, 13 (13), 3397-3403
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