主题:【讨论】电子衍射确定晶格常数时的细节问题

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mmctem
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如题,如果相比较准确的计算晶格常数,用已知样品做标定,除了相机长度外,还有什么问题需要注意,我听说好像还有什么透镜的电流,很重要吗? 多谢
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原文由 mmctem 发表:
如题,如果相比较准确的计算晶格常数,用已知样品做标定,除了相机长度外,还有什么问题需要注意,我听说好像还有什么透镜的电流,很重要吗? 多谢


就是拍摄条件最好在标准物镜电流下吧。
大陆
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如果要比较准确的确定晶格参数,XRD比ED更有优势。当然,同步辐射XRD比普通XRD更有优势。
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Last edit by handsomeland
天黑请闭眼
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原文由 handsomeland 发表:
如果要比较准确的确定晶格参数,XRD比ED更有优势。当然,同步辐射比XRD更有优势。


那么,现在有XSTEM,是不是更准确?
大陆
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原文由 shxie 发表:
那么,现在有XSTEM,是不是更准确?

这样说吧,如果拿标准Si粉(比如 SRM640, a = 5.4307 Ǻ,at R.T.),我们使用以下几种技术定量来比较标准差(standard error,σ):

1)SR_XRD (比如 100 MeV, 波长0.0001Ǻ),σ原则上可以非常小,但实际标准样品本身的a值误差约在0.001Ǻ,所以practically,σ~0.001Ǻ;

2)Cu-alpha_XRD (8 keV, 波长1.54 Ǻ),波长相对较长,但利用宽角度细扫(2θ:1~100deg, 0.005 step, 2万个数据点),充分利用多个衍射峰信息,使用全谱拟合,practically, σ~0.01Ǻ 的精度;

3)电镜--哪怕是你提到的xstem?--多晶衍射环(300 keV, 波长约0.02Ǻ),波长相对Cu-a较小,但是衍射角很小,在当前现有技术下,在0.01~ 1deg之间我们能探测的最多点数是很受限制的,况且多数时候靠人眼去分辨,加上相机长度、标尺的误差,我没有见过通过电镜衍射得到σ小于0.1Ǻ的标定。如果你见过,还望指教我,给我一个文献,呵呵,谢谢

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Last edit by handsomeland
longwood
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电子衍射精确的测定晶格常数,一般不用选区衍射,而是利用CBED中的HOLZ line来测定。这时电子的加速电压要事先校正。
大陆
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原文由 templus 发表:
电子衍射精确的测定晶格常数,一般不用选区衍射,而是利用CBED中的HOLZ line来测定。这时电子的加速电压要事先校正。

有没有讨论精度方面具体的研究数据?请指教。
大陆
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原文由 templus 发表:
电子衍射精确的测定晶格常数,一般不用选区衍射,而是利用CBED中的HOLZ line来测定。这时电子的加速电压要事先校正。

我在前面用选取衍射是因为有同样的标准可以参考。
如果不用选取衍射,那么测量的值就是小范围内的晶体,能作为标准吗?如果没有标准参照,CBED得到的点阵常数精密性如何判断本身就是个问题。
Anyway,目前晶体结构信息库中的点阵常数标准并不是来自于TEM,这个很说明问题吧,哈哈
longwood
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利用CBED 中的HOLZ line,晶格参数的测定精度可以达到0.0001nm.

这些基于TEM的方法本身就是研究微区域内如strain造成的晶格参数的改变,这也正是TEM的优点,一般不会有人用electron diffraction去标定标准的晶体样品。
大陆
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templus
CBED,HOLZ line,晶格参数精度可达0.0001nm

呵呵,你说的有道理,局部相对精度在特定环境下有优势,不过局部相对变化测量很难作为标准,就是说不同人、设备间的数值难精确比较。
总结我们的讨论,我做了幅图,你觉得这可作为我们的共识吗?
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longwood
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非常同意你的观点。不同的方法之间是有关联的,因此精度也是互相依赖的。比如CBED法对电压的精确测量是需要标准样品的,标准样品的晶格常数可能又是通过XRD取得的。
另外请问一下,你的示意图是指在实空间吗?
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