主题:请问如何用x射线双晶衍射测量半导体异质结的晶格失配?

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slw
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请问如何用x射线双晶衍射测量半导体异质结的晶格失配?
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请参阅以下三篇文献<br>
<br>
2003年第一期《核技术》“分子束外延生长ZnO薄膜及性能研究”<br>
<br>
2003年第二期《固体电子学研究与进展》“Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi2薄膜”<br>
<br>
2004年第三期《发光学报》“ZnO薄膜的分子束外延生长及性能”
hzhgx1979
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请您利用网上的信息资源进行文献检索,可以利用:<br>
http://www.analysis.org.cn/ 中国分析网<br>
http://www.google.com 信息检索网<br>
http://www.wanfangdata.com.cn/万方数据库<br>
http://www.nstl.gov.cn/nstl/user/ywjsdg.jsp 国家科技文献图书中心<br>
http://www.scirus.com/?PTS Scirus 科学信息检索网<br>
quyanliang
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最简单的方法就是利用布拉格方程计算出晶格常数,再进行晶格失配分析
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