主题:怎么解释ICP

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roger_qcl
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哪位大哥大姐给小弟解释一下ICP啊,我是个彻头彻尾的新手.先谢了!
推荐答案:zhangwuji回复于2005/09/16
ICP-Inductive Coupled Plasma, 电感耦合等离子体
补充答案:

handc回复于2005/09/17

两者的原理是完全不一样的。
ICP是把样品溶解后在PLASMA中电离,检测元素跃迁的谱峰;
X荧光是用高能的X射线打击原子,驱逐原子内的电子儿出现空穴,使整个原子体系处于不稳定的高能激发态,激发态的寿命是非常短的,将自发的由激发态迅速回到稳定的基态,在此过程中,如果内层电子出现空穴,外层电子跃入内层电子空穴并放出能量,若这个能量没有被原子内吸收,而以辐射的方式放出,就是X射线荧光

nikang3148回复于2005/09/17


就是在激发光源的原理上存在差别吧

ggyqxx回复于2005/09/17



试试这样填写搜索关键词:“原子发射光谱法 基本原理”或“荧光光谱法 基本原理”
应该能找到比较详细的资料的:)

xuzuyin回复于2005/09/17

ICP-AES(OES)电感耦合等离子体发射光谱.

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zhangwuji
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ICP-Inductive Coupled Plasma, 电感耦合等离子体
roger_qcl
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就这么简单吗?因为我公司以前用的是ICP方法测试材料铅镉含量,现在换了种方法X荧光,我想知道两者的差别以及具体原理.谢谢!
ggyqxx
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ICP的基本原理:
    原子的外层电子由高能级向低能级跃迁,能量以电磁辐射的形式发射出去,这样就得到发射光谱.原子发射光谱是线状光谱.一般情况下,原子处于基态,通过电致激发,热致激发或光致激发等激发光源作用下,原子获得能量,外层电子从基态跃迁到较高能态变为激发态 ,约经10-8 s,外层电子就从高能级向较低能级或基态跃迁,多余的能量的发射可得到一条光谱线.

相关资料网上很多的,上百度一查就有了,不要那么懒嘛^_^
handc
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两者的原理是完全不一样的。
ICP是把样品溶解后在PLASMA中电离,检测元素跃迁的谱峰;
X荧光是用高能的X射线打击原子,驱逐原子内的电子儿出现空穴,使整个原子体系处于不稳定的高能激发态,激发态的寿命是非常短的,将自发的由激发态迅速回到稳定的基态,在此过程中,如果内层电子出现空穴,外层电子跃入内层电子空穴并放出能量,若这个能量没有被原子内吸收,而以辐射的方式放出,就是X射线荧光
roger_qcl
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百度搜索ICP有好多结果,大部分是ICP网络的,那简直是大海捞针.

不管如何,谢谢各位的指点!
nikang3148
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原文由 handc 发表:
两者的原理是完全不一样的。
ICP是把样品溶解后在PLASMA中电离,检测元素跃迁的谱峰;
X荧光是用高能的X射线打击原子,驱逐原子内的电子儿出现空穴,使整个原子体系处于不稳定的高能激发态,激发态的寿命是非常短的,将自发的由激发态迅速回到稳定的基态,在此过程中,如果内层电子出现空穴,外层电子跃入内层电子空穴并放出能量,若这个能量没有被原子内吸收,而以辐射的方式放出,就是X射线荧光

就是在激发光源的原理上存在差别吧
ggyqxx
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原文由 roger_qcl 发表:
百度搜索ICP有好多结果,大部分是ICP网络的,那简直是大海捞针.

不管如何,谢谢各位的指点!


试试这样填写搜索关键词:“原子发射光谱法 基本原理”或“荧光光谱法 基本原理”
应该能找到比较详细的资料的:)
xuzuyin
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SeanWen
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原文由 roger_qcl 发表:
就这么简单吗?因为我公司以前用的是ICP方法测试材料铅镉含量,现在换了种方法X荧光,我想知道两者的差别以及具体原理.谢谢!


如果是为了满足Rohs的话,X射线荧光就OK了,分析要比ICP简单一些,但如果要求很准确的话,还是要用ICP吧。
yhui
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原文由 xuzuyin 发表:
ICP-AES(OES)电感耦合等离子体发射光谱.
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