主题：每周一问11: 能谱探头上的标签到底在说些什么？

原文由 renxin 发表:

原文由 tao______ 发表:

原文由 SeanWen 发表:

原文由 tao______ 发表:
ATW2 是窗口的型号，也叫SATW (Super Atmosphere supporting Thin Window)
所以A就是Atmosphere的意思，他的厚度约为0.2mm，用很特殊的合成材料制成，用来和外界隔离，保持探头内部真空。
至于S/S应该是Substrate的简称，后面的数字应该是sbustrate电压值，大家以为如何？

请问‘sbustrate电压’是什么？用在哪里呢～～

Substrate用在晶体上

这个回答不对，  S/S 不是用在  晶体上的，    而是用在          场效应晶体管上的。
OXFORD的 晶体管是专利设计， 叫PENTA FET， 就是 五脚的意思， 其中一脚就是 S/S。

原文由 tao______ 发表:
精彩，学习到了，好厉害，通常所说的晶体是一个柱状物，分为两部分，前端就是Si（Li）晶体，后端是FET，这个FET应该就是您所说的PENTA FET，有幸看到过这样的晶体图片，在后端的FET里面确实有五根非常细的铜线连出

原文由 renxin 发表:

原文由 SeanWen 发表:
分辨率这么高会不会晶体是用Ge而不是用Si（Li）呢～

精彩， 正是这样， 接着问， GE晶体和  SI(LI)晶体  相比较好处和坏处在哪里呢

原文由 renxin 发表:

原文由 tao______ 发表:
多谢，麻烦讲一下另外四根线具体是干吗的？

这就是基础 电子学知识了， FET是经过改良的放大器型三极管， 其中三角 是  三极管的 基极 (BASE)， 收集极 (COLLECTOR)， 和发射极 (EMMITTER)， 这是 FET的 主要功能区， 就是放大， 另两个， 一个是 S/S， 就是复位电压， 作用是将 含有信号的波形(RAMP) 在适当的 PROCESSING TIME进行归零复位。 最后一个叫加热电压  (HEATING V)，功能是设定FET正常的工作温度。

原文由 SeanWen 发表:

原文由 renxin 发表:

原文由 SeanWen 发表:
分辨率这么高会不会晶体是用Ge而不是用Si（Li）呢～

精彩， 正是这样， 接着问， GE晶体和  SI(LI)晶体  相比较好处和坏处在哪里呢

Ge晶体优点：由于在Ge晶体中产生1电子－空穴对只需要约3eV，而在Si（Li）晶体中则需要约3.8eV，所以Ge晶体探测器具有更高的分辨率。
Ge晶体缺点：它对低温的要求比Si（Li）晶体更严苛。

原文由 silsil 发表:
兄弟我干点儿苦力活儿，把大家的发言总结一下。免得看起来有点不系统。个人有这个感觉，呵呵。（红体字为RENXIN斑竹的精彩解答，黑体字为各位朋友的发言。）上班时间搞得，不太好，请见谅。以后我会把以前的每周一问都总结一下贴出来。如果各位斑竹不反对的话。
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原文由 renyi 发表:

原文由 renxin 发表:

原文由 tao______ 发表:
多谢，麻烦讲一下另外四根线具体是干吗的？

这就是基础 电子学知识了， FET是经过改良的放大器型三极管， 其中三角 是  三极管的 基极 (BASE)， 收集极 (COLLECTOR)， 和发射极 (EMMITTER)， 这是 FET的 主要功能区， 就是放大， 另两个， 一个是 S/S， 就是复位电压， 作用是将 含有信号的波形(RAMP) 在适当的 PROCESSING TIME进行归零复位。 最后一个叫加热电压  (HEATING V)，功能是设定FET正常的工作温度。

功能说的不差，但老和尚怎么记得FET只有源栅漏（可以有多栅），没有集发基啊？

原文由 newkingtor 发表:
牛津也出锗探头了？锗探头的分辨率好像要比这个高。