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原文由 renxin 发表:原文由 renyi 发表:原文由 renxin 发表:原文由 tao______ 发表:
多谢，麻烦讲一下另外四根线具体是干吗的？
这就是基础 电子学知识了， FET是经过改良的放大器型三极管， 其中三角 是 三极管的 基极 (BASE)， 收集极 (COLLECTOR)， 和发射极 (EMMITTER)， 这是 FET的 主要功能区， 就是放大， 另两个， 一个是 S/S， 就是复位电压， 作用是将 含有信号的波形(RAMP) 在适当的 PROCESSING TIME进行归零复位。 最后一个叫加热电压 (HEATING V)，功能是设定FET正常的工作温度。
功能说的不差，但老和尚怎么记得FET只有源栅漏（可以有多栅），没有集发基啊？
查了一下， 看来 我需要 更经常些 更新 记忆， 您是对的， 我讲错了。
原文由 renxin 发表:原文由 SeanWen 发表:原文由 renxin 发表:原文由 SeanWen 发表:
分辨率这么高会不会晶体是用Ge而不是用Si（Li）呢～
精彩， 正是这样， 接着问， GE晶体和 SI(LI)晶体 相比较好处和坏处在哪里呢
Ge晶体优点：由于在Ge晶体中产生1电子－空穴对只需要约3eV，而在Si（Li）晶体中则需要约3.8eV，所以Ge晶体探测器具有更高的分辨率。
Ge晶体缺点：它对低温的要求比Si（Li）晶体更严苛。
正是， GE晶体纯度要比SI高， 所以没有空洞， 不需要用 LI漂移 补偿， 所以 处理 X光子效率高。
为了保持 GE晶体的稳定性， 用不用都必须 添加液氮， 使得维护变得很麻烦，
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