主题:【求助】不同型号的能谱仪标配的检测器的类型是什么类型?

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白水山石
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现在用的SEM在都配有能谱仪,我想请教大虾不同型号的能谱仪标配的检测器的类型是什么类型?
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原文由 tianzhen 发表:
现在用的SEM在都配有能谱仪,我想请教大虾不同型号的能谱仪标配的检测器的类型是什么类型?
我知道三种:
1.单晶锗
2.Si(Li)锂漂移硅
3.SDD
目前锗晶体探测器已经被淘汰,但是锗晶体还是有不少特点:
a:晶体结构好,无需Li填充,分辨率好
b:不能断液氮
Si(Li)是目前应用较广的一类,需要液氮制冷,分辨率不如锗晶体,但是可以短时间断液氮!缺点是工作温度低,液氮制冷时间长,维护麻烦!效率低下!
SDD:是能谱的未来,无需液氮制冷,分辨率超过Si(Li),使用方便,速度快(可达锂漂移硅的10倍以上),免维护,应该在未来的几年里取代锂漂移硅。
缺点是:价格太贵,峰背比略低于锂漂移硅!

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原文由 tao______ 发表:
原文由 tianzhen 发表:
现在用的SEM在都配有能谱仪,我想请教大虾不同型号的能谱仪标配的检测器的类型是什么类型?
我知道三种:
1.单晶锗
2.Si(Li)锂漂移硅
3.SDD
目前锗晶体探测器已经被淘汰,但是锗晶体还是有不少特点:
a:晶体结构好,无需Li填充,分辨率好
b:不能断液氮
Si(Li)是目前应用较广的一类,需要液氮制冷,分辨率不如锗晶体,但是可以短时间断液氮!缺点是工作温度低,液氮制冷时间长,维护麻烦!效率低下!
SDD:是能谱的未来,无需液氮制冷,分辨率超过Si(Li),使用方便,速度快(可达锂漂移硅的10倍以上),免维护,应该在未来的几年里取代锂漂移硅。
缺点是:价格太贵,峰背比略低于锂漂移硅!
其他请楼下补充!

天黑请闭眼
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请问峰背比略低于Si(Li)是不是因为电制冷的温度高的原因?
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原文由 shxie 发表:
请问峰背比略低于Si(Li)是不是因为电制冷的温度高的原因?
P/B比的概念是峰/背比,也就是特征X射线谱峰何韧致辐射本底的比值,这个比值和温度无关,影响这个比值的是入射信号的强度,入射信号越强,特征X射线的谱峰强度增加的同时本底也增加,但是本底增加的比例要高于特征峰,打个简单的比方,如果特征X射线强度从20000提高到30000同时本底从1增加到2,那么峰背比分别为20000/1=20000 和 30000/2=15000 显然是变小的,但是从绝对增加的幅度来看,20000-1=19999 30000-2=29998 后者虽然峰背比较小,但是效率显然更高!
以上是本人的个人理解,可能表达不是很清楚,欢迎大家指正!
德国工兵
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原文由 shxie 发表:
请问峰背比略低于Si(Li)是不是因为电制冷的温度高的原因?
再罗嗦一下:您所说的温度影响的是信噪比,和峰背比是两回事:
对能谱来说降低噪音提高信噪比的方法有两种:
1.液氮制冷降低噪音,也就是传统锂漂移探测器使用的方法!
2.从硬件结构设计上改良减小电容,从而达到降低噪音的效果,无需液氮冷却,这就是SDD的提高信噪比的方法,FET和SDD芯片一体的设计(无金导线相连)大大降低了电容,从而提高信噪比!
天黑请闭眼
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