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同位素及其它无机质谱

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主题：【原创】tof-sims质谱解析

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xgq_2001

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发表于：2010/06/12 14:47:36 楼主管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

我们知道质谱分析最重要的部分就是解析图谱，如何解析二次离子质谱呢？好像很困难，因为目前关于二次离子质谱的数据并不多。本人综合总结了培训过程中所学一点经验给大家分享；
1。二次离子质谱分为两种，一种动态二次离子质谱(ＤＳＩＭＳ)，如ＣＡＭＥＣＡ公司生产的ＩＭＳ－ｘｆ系列，一种静态二次离子质谱（Ｓ－ＳＩＭＳ），如ＵＬＶＡＣ－ＰＨＩ公司生产的ｎａｎｏ－ＴＯＦ系列。动态和静态区分的标准时入射离子的计量，当＞10^12ions/cm^2称为动态－ＳＩＭＳ，小于这个数值，称为Ｓ－ＳＩＭＳ．动态－ＳＩＭＳ主要用作半导体器件痕量元素的深度分析，以及矿物用同位素定年。要求样品导电性要好，静态－ｓｉｍｓ主要用于表面成分分析，如有机物，无机物分析，且可以分析分子碎片，并可以使其成像（2D,3D）。

2。全部同位素解析，根据同为个数，和自然界的丰度，半段谱峰对应的元素，同时也可以考虑一般谱峰都是带一个电荷的离子，通过查元素周期表就可以确认他们存在与否。

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2010/6/16 6:47:33 沙发管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

谢谢分享，十分感谢。

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2010/7/3 21:54:02 板凳管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 xgq_2001(xgq_2001) 发表:
我们知道质谱分析最重要的部分就是解析图谱，如何解析二次离子质谱呢？好像很困难，因为目前关于二次离子质谱的数据并不多。本人综合总结了培训过程中所学一点经验给大家分享；
1。二次离子质谱分为两种，一种动态二次离子质谱(ＤＳＩＭＳ)，如ＣＡＭＥＣＡ公司生产的ＩＭＳ－ｘｆ系列，一种静态二次离子质谱（Ｓ－ＳＩＭＳ），如ＵＬＶＡＣ－ＰＨＩ公司生产的ｎａｎｏ－ＴＯＦ系列。动态和静态区分的标准时入射离子的计量，当＞10^12ions/cm^2称为动态－ＳＩＭＳ，小于这个数值，称为Ｓ－ＳＩＭＳ．动态－ＳＩＭＳ主要用作半导体器件痕量元素的深度分析，以及矿物用同位素定年。要求样品导电性要好，静态－ｓｉｍｓ主要用于表面成分分析，如有机物，无机物分析，且可以分析分子碎片，并可以使其成像（2D,3D）。

2。全部同位素解析，根据同为个数，和自然界的丰度，半段谱峰对应的元素，同时也可以考虑一般谱峰都是带一个电荷的离子，通过查元素周期表就可以确认他们存在与否。

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2010/7/6 13:46:26 马扎管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原理：
　　采用脉冲一次离子源（LMIG, Cs, C60,Au，O2+,Ar+）等轰击样品，然后收集从样品表面激发出来的二次离子，采用质谱检测器（飞行时间、四极杆、扇形磁过滤、离子阱等），来收集这些二次离子，并且根据他们的质荷比（ｍ／ｚ）将它们分离，据此来判断分析材料的成分。
　　　　
分类
　　二次离子质谱仪分为静态- 二次离子质谱仪(S-SIMS) 和动态二次离子质谱仪(D-SIMS) ，其区分的标准就是根据入射的一次离子的剂量一般<10^12atoms/cm2，成为静态二次离子质谱仪，一般采用飞行时间检测器，主要用于生物医药的有机物分析，半导体材料的污染物分析，存储材料分析，可以坚定有机的分子碎片。在分析过程中，材料表面的吸附物质及化学状态，对谱峰影响巨大。这也就是二次离子质谱中的“基体效应”。静态－二次离子质谱是一种无破坏的表面分析方法。最常见的静态- 二次离子质谱仪是飞行时间二次离子质谱仪。
　　　　动态－二次离子质谱仪，入射的一次离子的剂量一般<10^1５atoms/cm2，对表面形成大量的溅射作用，是一种破坏性分析，主要用于地质研究，同位素定年分析，半导体掺杂的深度分析。主要采用的一次离子源为气体等离子源（Ａｒ／Ｏ２）或Ｃｓ离子源，一般要求样品导电性要好。
（未完待续）

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