主题：请教冷场的EDS到底有多不可信

原文由 saintchen 发表:
冷场能达到40uA，不可能吧！热场也就20nA，现在最大的级别也就是200nA，

这样的冷场现在的技术下应该不会出现吧？？？？？？？？？？？？

钨灯丝的我见过最大的是5uA的，是否还有更大的？


？？？？？？？？？？？？？？？？？？？

原文由 renxin 发表:

原文由 libin1975 发表:
s-4800没有这情况

这个回答太  经典了， 这个型号 不好使， 再买 一台新型号吧， 销售就是销售， 想的就是不一样。
我听说 国内 电镜  相关 购买 资金紧缩， 原因电镜 买得太疯，浪费资源。

原文由 hereyouare 发表:

多谢了!

原文由 chenjianfeng 发表:
发射流一般在几十(冷场)到几百(W,热场)微安,W丝的大多在一百微安左右工作,而和能谱波谱分析有关的并不是这一个,应该是探针束流(probe current)才对,现在的冷场应该在pA级才对,0.1~3pA左右,而W丝的最大一款SEM设备应该是在2微安,这还是在极端工作条件下(在此工作条件下W丝寿命约为2~4小时)才能达到的,而热场SEM应该是在20nA左右,所以发射流有多少大并没有太大的价值,只有probe current才是应该关心的,发射流大不等于能用在样品上的大,发射流大也不等于SEM图像的质量足够好才对.

原文由 zemb 发表:
逃逸峰：某文章选段：

当X射线进入 Si(Li)晶体后, 可能使硅原子电离而产生Si 的Kα射线。如果这种Si 的Kα射线是在晶体的边缘产生的, 它就有可能逃逸出来, 而不将其能量交给晶体产生电子-空穴对, 导致所谓逃逸峰的产生。检测到的逃逸峰的能量E逃逸为:

　　E逃逸 =E-1.74(keV)

　　这里E为入射X射线的能量; 1.74 keV为Si的Kα的能量, 即逃逸的能量。在E逃逸处产生的谱峰，就称之为该谱线的逃逸峰。只有能量大于Si的Kα吸收边的X射线谱，才会产生逃逸峰。
　　克服的办法：在定性和定量分析之前, 一定要进行逃逸峰的纠正, 以消除逃逸峰对定量分析工作的影响。■

明白了吗？
再解释一下，样品上产生的X射线射入能谱探测器Si(Li)晶体后，有一小部分X射线可能激发硅原子产生Si 的Kα射线（这就是有时产生Si峰的原因）。这些X射线光子的能量就减少了一个Si峰的能量。如果这些光子的能量再使晶体产生电子-空穴对, 则这时产生的信号峰即为逃逸峰。因此逃逸峰的能量为：

　　E逃逸 =E-1.74(keV)