元器件间的连接是纳米级电子产品至关重要的部分。就分子设备而言,分子极化性测量的范围涉及到电子与单个分子接触的相互作用。极化性测量有两个重要方面,它们分别是接触表面以次纳米分辨率精度进行测量的能力,以及认识和控制分子开关两个状态的能力。
为测量单个分子的极化性,研究小组研发出能够同时进行扫描隧道显微镜测量和微波异频测量的探针。借助探针的微波异频测探,研究人员将能确定单个分子开关在基片上的位置,即使开关处于“关”的状态也不例外。在开关定位后,研究人员便可利用扫描隧道显微镜变换开关的状态,并测量每个状态下单分子和基片之间的相互作用。
维斯说,新开发的探针能够获取单分子和基片之间物理、化学和电子相互作用以及相互接触的数据。维斯同时还是著名的化学和生化以及材料科学和工程教授。参与研究工作的还有美国西北大学的理论化学家马克·瑞特奈和莱斯大学合成化学家詹姆斯·图尔。