主题:【已应助】求助英文文献几篇

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1

【题  名】:InAs/GaSb superlattice based long-wavelength infrared detectors: Growth, processing, and characterization

【作  者】: Alexander Soibel

【期刊名全称】:Infrared Physics & Technology

【文献页码】:Volume 54, Issue 3, May 2011, Pages 247-251

【全文链接】: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1350449510001246



2

【题  名】: Controlling dark current in type-II superlattice photodiodes

【作  者】: C.L. Canedy

【期刊名全称】:Infrared Physics & Technology

【文献页码】:Volume 52, Issue 6, November 2009, Pages 326-334

【全文链接】: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1350449509001224



3

【题  名】: Chapter 1 - Type-II Superlattice Infrared Detectors

【作  者】: David Z-Y. Ting

【期刊名全称】:Semiconductors and Semimetals

【文献页码】:Volume 84, 2011, Pages 1-57

【全文链接】: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/B9780123813374000012



4

【题  名】: Type II strained layer superlattice: A potential future IR solution

【作  者】: Meimei Z. Tidrow

【期刊名全称】:Infrared Physics & Technology

【文献页码】:Volume 52, Issue 6, November 2009, Pages 322-325

【全文链接】: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1350449509000620



5

【题  名】: Voltage controllable dual-band response from InAs/GaSb strained layer superlattice detectors with nBn design

【作  者】: Plis, E

【期刊名全称】:Electronics Letters

【文献页码】:2011,issue2,pp133-134

【全文链接】: http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fiel5%2F2220%2F5699973%2F05700018.pdf%3Farnumber%3D5700018&authDecision=-203
推荐答案:hstudent回复于2011/08/30
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补充答案:

yilai1002回复于2011/08/30

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