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主题：【讨论】做熔融KOH腐蚀GaAs的详细实验步骤？

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harry2eileen
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发表于：2011/09/27 17:30:25 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
我想做熔融KOH腐蚀GaAs的实验，由于是在马弗炉里面加热到450度后，KOH熔融后，然后再去腐蚀GaAs材料？  这样接下来的步骤是怎样的：是打开马弗炉的门，把材料放进去吗？  熔融KOH有挥发性，怎样做好安全措施？
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2011/9/29 17:39:20 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
这个实验有个国标，是测砷化镓单晶位错密度的。温度是400度。楼主看下能不能用到。
附件：
GBT 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法.pdf
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harry2eileen
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2011/10/8 12:01:18 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
嗯，首先谢谢您无私的上传资料。的确很有用，看了之后基本可以自行搭测试环境了，但是想了想还有些细节问题不够清楚。 1，温度的控制。2，熔融KOH的挥发性怎么样？怎么防止挥发的气体对人体的伤害？3，熔融KOH的腐蚀速率？
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2011/10/10 19:51:09 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 harry2eileen(harry2eileen) 发表:
嗯，首先谢谢您无私的上传资料。的确很有用，看了之后基本可以自行搭测试环境了，但是想了想还有些细节问题不够清楚。 1，温度的控制。2，熔融KOH的挥发性怎么样？怎么防止挥发的气体对人体的伤害？3，熔融KOH的腐蚀速率？

如果是测位错，温度要求不用特别精确。没查到熔融KOH的挥发性数据，如果有条件就用防毒面具，没条件湿口罩应该也可以。没做过这个反应，反应速度应该比较快，多查看下吧。
实验做成功了，记得和大家分享下。
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