a) 激发辐射的散射过程将影响样品中元素的特征辐射强度,这是由于散射过程将影响光谱的背景。此外,还存在两个主要的效应:
b) 样品中激发辐射被吸收和由此产生的或由其它元素(基体)发射的荧光辐射。
c) 样品中其它元素的次级激发(增强)。
— 塑料材料:在塑料样品中基体将影响分析物的特征X射线强度,主要来自:
— 初级辐射的散射(主要是不连续的),它对背景光谱有很大的贡献
— 荧光辐射中的吸收,这主要是由PVC中的Cl,添加剂元素如Ca, Ti, Zn, Sn等,及来源于 阻燃剂中的Br 和Sb
— 由Sb, Sn, 和 Br等元素引起的次级激发
— 金属:在金属样品中由初级激发引起的散射并不起重要的作用,基体效应主要是由吸收和次62321/1CD ○C IEC 111/24/CD
级激发引起,对于不同的金属基体这些效应也并不尽相同,下面列出了不同基体中的一些典型的元素:
— Fe 合金: Fe, Cr, Ni, Nb, Mo, W, …
— Al合金: Al, Mg, Si, Cu, Zn, …
— Cu合金: Cu, Zn, Sn, Pb, Mn, Ni, Co, …
— 焊料合金: Pb, Cu, Zn, Sn, Sb, Bi, Ag, ...
— Zn合金: Zn, Al, …
— 贵金属合金: Rh, Pd, Ag, Ir, Pt, Au, Cu, Zn, …
— 电子元器件和印刷电路板:原则上包括聚合物和金属中发生的所有效应。
d) 另外,样品中测试元素的特征谱线的强度会受到其它元素的干扰,典型的干扰如下:
— 镉:可能的干扰来自溴,铅,锡,锑
— 铅:可能的干扰来自溴
— 汞:可能的干扰来自溴,铅,以及样品中高浓度的钙和铁
— 铬:可能的干扰来自氯
— 溴:可能的干扰来自铁及铅
e) 基体效应对检出限(LOD)的影响
表4:一些受控元素基体效应对检出限出限的影响
元素/分析物
纯聚合物
含≥2%Sb,不含Br的聚合物
含≥2%Br,不含Sb的聚合物
镉
A
~A-2A
≥2A
铅
B
~2B
≥3B
注:如果A和B代表纯聚合物中Cd和Pb的检出限LOD,那么复杂基体中的检出限就可以表示为A和B的倍数,如上表5所示。表5提供的信息只作指导用,实际分析元素的检出限要随仪器和测试条件而定。