·自吸效应校正背景
自吸效应校正背景法是基子高电流脉冲供电时空心阴极灯发射线的自吸效应。当以低电流脉冲供电时,空心阴极灯发射锐线光谱,测定的是
原子吸收和背景吸收的总吸光度。接着以高电流脉冲供电,空心阴极灯发射线变宽,当空心阴极灯内积聚的原子浓度足够高时,发射线产生自吸,在极端的情况下出现谱线自蚀,达时测得的是背景吸收的吸光度。上述两种脉冲供电条件下测得的吸光度之差,便是校正了背景吸收的净
原子吸收的吸光度。这种校正背景的方法可对分近线邻近的背景进行迅速的校正,跟得上背景的起伏变化。高电流脉冲时间非常短,只有0.3ms,然后恢复到“空载”水平,时间为1ms,经40ms直到下一个电流周期,这种电流波形的占空比相当低,所以平均电流较低,不影响灯的使用寿命。本法可用于全波段的背景校正.对于在高电流脉冲下谱线产生自吸程度不够的元素,测定灵敏度有所降低。这种校正背景的方法特别适用于在高电流脉冲下共振线自吸严重的低温元素。