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原文由 w4m0330(w4m0330) 发表:
从右上部分看是在Si 112带轴附近么？转正一下带轴再看看？
我觉得看起来右上部分应该是Si，左下部分暗的那一片可能是3C-SiC。
如果是辨别Si和SiC应该还是很好分辨的。Si是简单的dimond结构，如果是4H，6H，15R的话很明显就能看出来差别。从楼主的图看样子应该是3C结构的SiC，通过高分辨是可以分辨出那个Si那个SiC，我觉得用002暗场更容易，也更明显。甚至可以量化做成分分析。
因为Si 的002是消光的，SiC不消光，根据散射因子可以解出来C成分的多少与衬度的关系。
原文由 w4m0330(w4m0330) 发表:
暗场 chemical sensitive 分析的话，可以看看不莱梅大学（bremen）的Rosenauer 文章或者书。需要些时间去啃就是了。
高分辨图，没有下载你的附近，就是直接屏幕截图，我试了试用111晶面做了strain mapping 如果认为右上方是纯Si的话，左下方是SiC，可能有Si，导致111晶面间距变小了。
做更深入的分析建议还是找找做你们做电镜的老师吧，或者找专门做电镜的合作者。在这里提问的话，就是问题--》结论，中间的分析大多跳过了，可能产生的误差，假设条件等都很难像写学术论文那么详细的。
原文由 byb7777(byb7777) 发表:原文由 w4m0330(w4m0330) 发表:
暗场 chemical sensitive 分析的话，可以看看不莱梅大学（bremen）的Rosenauer 文章或者书。需要些时间去啃就是了。
高分辨图，没有下载你的附近，就是直接屏幕截图，我试了试用111晶面做了strain mapping 如果认为右上方是纯Si的话，左下方是SiC，可能有Si，导致111晶面间距变小了。
做更深入的分析建议还是找找做你们做电镜的老师吧，或者找专门做电镜的合作者。在这里提问的话，就是问题--》结论，中间的分析大多跳过了，可能产生的误差，假设条件等都很难像写学术论文那么详细的。
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