主题:【求助】有什么办法可以去除G1胶而不损坏Si的么?

浏览0 回复8 电梯直达
w4m0330
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有块MBE长的Si样品上面有些III-V,需要看横截面的加热In-situ样品变化的情况,感兴趣的区域在样品最表层的10nm厚。表面不能有对贴的G1胶,因为G1胶在表面就会影响加热以后样品的变化。
常规做样(研磨,tripod)试验了两个多月都失败了,除了FIB,请教各位还有什么办法可以做?

我另外想问的是,有没有什么化学试剂可以溶解(腐蚀)G1胶却不会损坏Si的么?
多谢啦
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yihuiiii
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有点没看明白,是截面样品还是平面样品,如果截面样品出了薄区,你可以用氩离子清洗试试,一般都是用它清理有机物什么的,不知道对G1胶有没有效。
w4m0330
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原文由 yihuiiii(yihuiiii) 发表:
有点没看明白,是截面样品还是平面样品,如果截面样品出了薄区,你可以用氩离子清洗试试,一般都是用它清理有机物什么的,不知道对G1胶有没有效。


谢谢先,这个试过了,离子清洗只能去除表面有机物,对于G1胶无能为力。
ivy_duan
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没有看明白 G1胶是什么时候到表面的?你是说在样品减薄好以后要去掉表面的胶?把打好的样品在丙酮里面多泡一会行吗?

perpetualcat68
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我刚刚看错了,G1在截面中间吧。G1该属于Epoxidharz-Klebstoff, 用后似乎只能机械的方法去除。
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2012/6/22 18:50:18 Last edit by perpetualcat68
w4m0330
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原文由 perpetualcat68(perpetualcat68) 发表:
我刚刚看错了,G1在截面中间吧。G1该属于Epoxidharz-Klebstoff, 用后似乎只能机械的方法去除。


嗯,G1是在截面中间。问了Gatan的人,说确实没有什么化学试剂去除G1胶的办法。
w4m0330
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如图所示,样品需要看的是横截面,兴趣区是样品表面(不是横截面的表面)大约10nm的区域,表面有纳米级的小孔,不能被G1胶覆盖(否则就没有机会看到加热的情况了)。试了很久都没有成功,悲催啊
kaleidoscope
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你的离子减薄仪有带冷台的吗,如果有我给你一个建议可以,应该可以行的。
justsoso哈
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您好!课题跟您做的很相像,也遇到了这个问题,能不能交流一下啊?QQ1760986813
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