原文由 jack510070(jack510070) 发表:
我们知道,它们都是光电传感器阵列,当一次曝光完成后,每个像素的光信号用这个像素曝光产生的电荷量代表其曝光量。
CCD的读出过程是:最左边的像素被检测单元读出,然后在移位脉冲驱动下所有像素左移一位,然后读下一个像素。依次类推,直到最后一个像素被读出。这样做的好处是不需要一个公共的管道,公共管道通常会有很大的耦合电容,从而降低了信号的读出电平。
CID的每个像素有两个势阱,其中曝光时只有一个势阱存在。当需要读出时,再起旁边生成一个势阱,这个势阱电位低于曝光势阱,这样曝光过程形成的光电荷(空穴)就会移动到独处势阱中,在对应的栅极中产生一个电流脉冲,其积分值代表像素的电荷量。读完后,可以选择重新生成曝光势阱,把电荷送回去继续曝光。由于需要单独读出每一个像素,所以需要公共的管道,这对于信噪比不利。
CCD的优点:读出噪声较低,信噪比较高。CID的优点:非破坏式读出,随即像素读取模式。
原文由 jack510070(jack510070) 发表:原文由 沧海青城(lgt228) 发表:原文由 cxyatxy(cxyatxy) 发表:
CCD与CID相比,具有量子效率高,响应范围宽,信噪比高,暗电流小的优点
但是暗电流小的话,会不会也有缺点呢
暗电流小不应该是缺点。CCD器件一个像素面积很小,通常只有十微米见方,因此其检测弱光的能力不强,为此需要采用长的曝光时间。但是因为暗电流的存在,过长的曝光时间产生的暗电流累积会填满像素的势阱,令其失去检测能力。显然,器件的暗电流越低越好。
原文由 chemchenxj(chemchenxj) 发表:原文由 jack510070(jack510070) 发表:
我们知道,它们都是光电传感器阵列,当一次曝光完成后,每个像素的光信号用这个像素曝光产生的电荷量代表其曝光量。
CCD的读出过程是:最左边的像素被检测单元读出,然后在移位脉冲驱动下所有像素左移一位,然后读下一个像素。依次类推,直到最后一个像素被读出。这样做的好处是不需要一个公共的管道,公共管道通常会有很大的耦合电容,从而降低了信号的读出电平。
CID的每个像素有两个势阱,其中曝光时只有一个势阱存在。当需要读出时,再起旁边生成一个势阱,这个势阱电位低于曝光势阱,这样曝光过程形成的光电荷(空穴)就会移动到独处势阱中,在对应的栅极中产生一个电流脉冲,其积分值代表像素的电荷量。读完后,可以选择重新生成曝光势阱,把电荷送回去继续曝光。由于需要单独读出每一个像素,所以需要公共的管道,这对于信噪比不利。
CCD的优点:读出噪声较低,信噪比较高。CID的优点:非破坏式读出,随即像素读取模式。
jack510070专家啊,受教了
想再请问一下,和CCD相比,PMT的性噪比是不是更高呢?