主题：【第六届原创】超低加速电压才是王道~SBA-15分子筛观察条件筛选

原文由 小M(mitchell_dyzy) 发表:

原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:

原文由 asahi42(asahi42) 发表:
我觉得应该是由于样品太小，加速电压一高，绝大部分能量都透过样品到下面去了。样品吸收的能量反而小，因此能够保住不被打坏。另外确定5500的没用扫透？有照片没~？

介孔二氧化硅应该是晶态的，SBA-15这东西要在900℃以上烧结过才能出来的~具体情况同待谢老师科普~

介孔材料的确有合成出晶体的，也能给出准确的衍射谱，所以有叫介孔晶体的说法。但这个和普通的晶体是有差异的。普通晶体是在原子级别上的周期性，而介孔晶体则是孔道的周期性，所谓的晶面间距则是纳米级别的（介孔是2-50 nm的孔道，也有说2-100 nm的）。

至于900度，也很难让无定形的二氧化硅形成晶体，因为氧化硅的熔点是1700度左右，不过如果你用1700度烧，那么对不起，介孔孔道就不复存在了，因为晶态的墙壁就很容易破坏孔道的有序性，这也是做介孔的课题组迟迟拿不到晶态墙壁介孔材料的原因。

原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:

原文由 linzq(linzq) 发表:
介孔硅应该存在各种不同的形态，这是根据不同制作方法形成的。所以有些介孔硅很耐打，比如LZ做的。有些就很虚弱孔径也很小，也没有规则形状，这些样品一打就花了，放放也会花掉，信号量也不大，做起来很困难。比如KIT6。

KIT-6和SBA-15在TEM里面基本都比较耐打。KIT-6的孔道和SBA15大小比较接近，我过两天用asahi的秘籍试试看。

原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:

原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:
5500做的是二次电子像。

什么介孔材料？MCM41么？

原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:

原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:

原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:
5500做的是二次电子像。

什么介孔材料？MCM41么？

材料是一个课题组自己合成的，也没个系统的编号。这个样品要看表面细节可能相当困难，孔道已经很小了，被孔道分割后的表面细节应该也很小。

原文由 asahi42(asahi42) 发表:

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原文由 linzq(linzq) 发表:
介孔硅应该存在各种不同的形态，这是根据不同制作方法形成的。所以有些介孔硅很耐打，比如LZ做的。有些就很虚弱孔径也很小，也没有规则形状，这些样品一打就花了，放放也会花掉，信号量也不大，做起来很困难。比如KIT6。

KIT-6和SBA-15在TEM里面基本都比较耐打。KIT-6的孔道和SBA15大小比较接近，我过两天用asahi的秘籍试试看。

谢老师，如果不介意的话，您可寄点KIT-6来我也练练手？

原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:
我跑题问个放大倍数的问题。FEI和蔡司的图像放大倍数是怎么定义的？