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主题：请问能否用扩展电阻法测半绝缘砷化镓（SI-GaAs）的微区（微区限度为微米级）电阻率？测量时对片子有什么要求？

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发表于：2003/10/11 13:32:47 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
请问能否用扩展电阻法测半绝缘砷化镓（SI-GaAs）的微区（微区限度为微米级）电阻率？测量时对片子有什么要求？
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2003/10/11 17:54:20 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
单探针扩展电阻法可以确定体积为10-10厘米3区域的电阻率，分辨率可以达到1微米。这种方法是利用一根金属锇（或钨钴合金）尖的探针来测量样品表面的电阻率。要求探针材料具有硬度大和耐磨的性能。（详情请见《半导体测试技术》孙以材 冶金工业出版社）<br>
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