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原文由 asahi42(asahi42) 发表:原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
二次电子像的立体感来源于边缘效应，上探头因包含有背散射电子，立体感降低了。
下面是一段asahi42老师说的原话：4800的上探头接受的绝大部分是SE，下探头接收相当一部分的BSE。使用上探头时，SE模式接收SE1和SE2，BSE（LV1~LV100）模式接收SE3。
这个不知道该怎么理解，求教。懵了！
首先先明确定义三个概念：
电镜电子束（一次电子）在样品轰击点上直接激发出的SE，称为SE1；
一次电子与样品原子作用后发生偏转，偏转后的高能电子继续与样品别的位置的原子发生作用，产生SE，称为SE2；
SE1和SE2主要反映样品的表面形貌。
一次电子与样品作用，形成逸出样品表面的高能背散射电子。所有没有被探头接收到的高能BSE都有可能打到电镜样品仓内的其它部分，并以相同原理激发出SE信号，这类SE信号称为SE3。
SE3可以间接反映出当前扫描点上BSE信号量的大小。
然后请返回去看看是不是能够帮助理解~
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二次电子像的立体感来源于边缘效应，上探头因包含有背散射电子，立体感降低了。
下面是一段asahi42老师说的原话：4800的上探头接受的绝大部分是SE，下探头接收相当一部分的BSE。使用上探头时，SE模式接收SE1和SE2，BSE（LV1~LV100）模式接收SE3。
这个不知道该怎么理解，求教。懵了！
下探头立体感强，背散射无立体感，上探头立体感介于两者之间，是不是背散射电子的影响？
下探头的立体感要好于上探头，下探头主要接收背散射电子，而您说背散射电子无立体感，这不是矛盾吗？？？？？
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二次电子像的立体感来源于边缘效应，上探头因包含有背散射电子，立体感降低了。
下面是一段asahi42老师说的原话：4800的上探头接受的绝大部分是SE，下探头接收相当一部分的BSE。使用上探头时，SE模式接收SE1和SE2，BSE（LV1~LV100）模式接收SE3。
这个不知道该怎么理解，求教。懵了！
首先先明确定义三个概念：
电镜电子束（一次电子）在样品轰击点上直接激发出的SE，称为SE1；
一次电子与样品原子作用后发生偏转，偏转后的高能电子继续与样品别的位置的原子发生作用，产生SE，称为SE2；
SE1和SE2主要反映样品的表面形貌。
一次电子与样品作用，形成逸出样品表面的高能背散射电子。所有没有被探头接收到的高能BSE都有可能打到电镜样品仓内的其它部分，并以相同原理激发出SE信号，这类SE信号称为SE3。
SE3可以间接反映出当前扫描点上BSE信号量的大小。
然后请返回去看看是不是能够帮助理解~
我看一个资料上写：SE1是电子束与样品直接作用产生的；SE2是深处背散射电子在出射样品时激发的；SE3是出射的背散射电子激发样品室零件产生的；可是我还是不懂 4800上的下探头是不是BSED？立体感究竟从何而来？LA（0）-LA（100）、HA该如何理解？谢谢a老师！
原文由 asahi42(asahi42) 发表:原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:原文由 asahi42(asahi42) 发表:原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
二次电子像的立体感来源于边缘效应，上探头因包含有背散射电子，立体感降低了。
下面是一段asahi42老师说的原话：4800的上探头接受的绝大部分是SE，下探头接收相当一部分的BSE。使用上探头时，SE模式接收SE1和SE2，BSE（LV1~LV100）模式接收SE3。
这个不知道该怎么理解，求教。懵了！
首先先明确定义三个概念：
电镜电子束（一次电子）在样品轰击点上直接激发出的SE，称为SE1；
一次电子与样品原子作用后发生偏转，偏转后的高能电子继续与样品别的位置的原子发生作用，产生SE，称为SE2；
SE1和SE2主要反映样品的表面形貌。
一次电子与样品作用，形成逸出样品表面的高能背散射电子。所有没有被探头接收到的高能BSE都有可能打到电镜样品仓内的其它部分，并以相同原理激发出SE信号，这类SE信号称为SE3。
SE3可以间接反映出当前扫描点上BSE信号量的大小。
然后请返回去看看是不是能够帮助理解~
我看一个资料上写：SE1是电子束与样品直接作用产生的；SE2是深处背散射电子在出射样品时激发的；SE3是出射的背散射电子激发样品室零件产生的；可是我还是不懂 4800上的下探头是不是BSED？立体感究竟从何而来？LA（0）-LA（100）、HA该如何理解？谢谢a老师！
4800的下探头是二次电子探头SED，而不是背散射电子探头BSED。然后，既然您这样问，我看这样解释您是不是可以接受：
立体感分成微观的立体感（纳米级颗粒边界）和宏观的立体感（微米级凹凸起伏），围观的立体感需要用SE来反映，它利用的是SE的边缘效应；而宏观的立体感需要用BSE来反映，它利用BSE能量大，不轻易改变方向的特点，并且有一个成像条件，就是探头必须在样品的侧面（样品正上方的探头无效）。
4800的二次电子探头属于Everhart-Thoeley SED，对低能二次电子敏感，但是如果BSE打上去，当然也能产生信号。所以，因为下探头位置又偏又远，所以它接受到的BSE信号可以占到相当大的比例，于是4800的下探头反映了侧方BSE信号所特有的宏观立体感，比如断口，也比如腐蚀晶界。
LA0和LA100还有HA需要对照4800宣传资料上的Super ExB才好理解，硬讲是很难讲通的，还容易造成误解。ppt我这里不便提供，您可以打电话或者在这里问天美或者日立随便那位电镜销售或者电镜维修，他们会解释得更详细。
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