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原文由 asahi42(asahi42) 发表:原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:原文由 asahi42(asahi42) 发表:原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
二次电子像的立体感来源于边缘效应，上探头因包含有背散射电子，立体感降低了。
下面是一段asahi42老师说的原话：4800的上探头接受的绝大部分是SE，下探头接收相当一部分的BSE。使用上探头时，SE模式接收SE1和SE2，BSE（LV1~LV100）模式接收SE3。
这个不知道该怎么理解，求教。懵了！
首先先明确定义三个概念：
电镜电子束（一次电子）在样品轰击点上直接激发出的SE，称为SE1；
一次电子与样品原子作用后发生偏转，偏转后的高能电子继续与样品别的位置的原子发生作用，产生SE，称为SE2；
SE1和SE2主要反映样品的表面形貌。
一次电子与样品作用，形成逸出样品表面的高能背散射电子。所有没有被探头接收到的高能BSE都有可能打到电镜样品仓内的其它部分，并以相同原理激发出SE信号，这类SE信号称为SE3。
SE3可以间接反映出当前扫描点上BSE信号量的大小。
然后请返回去看看是不是能够帮助理解~
我看一个资料上写：SE1是电子束与样品直接作用产生的；SE2是深处背散射电子在出射样品时激发的；SE3是出射的背散射电子激发样品室零件产生的；可是我还是不懂 4800上的下探头是不是BSED？立体感究竟从何而来？LA（0）-LA（100）、HA该如何理解？谢谢a老师！
4800的下探头是二次电子探头SED，而不是背散射电子探头BSED。然后，既然您这样问，我看这样解释您是不是可以接受：
立体感分成微观的立体感（纳米级颗粒边界）和宏观的立体感（微米级凹凸起伏），围观的立体感需要用SE来反映，它利用的是SE的边缘效应；而宏观的立体感需要用BSE来反映，它利用BSE能量大，不轻易改变方向的特点，并且有一个成像条件，就是探头必须在样品的侧面（样品正上方的探头无效）。
4800的二次电子探头属于Everhart-Thoeley SED，对低能二次电子敏感，但是如果BSE打上去，当然也能产生信号。所以，因为下探头位置又偏又远，所以它接受到的BSE信号可以占到相当大的比例，于是4800的下探头反映了侧方BSE信号所特有的宏观立体感，比如断口，也比如腐蚀晶界。
LA0和LA100还有HA需要对照4800宣传资料上的Super ExB才好理解，硬讲是很难讲通的，还容易造成误解。ppt我这里不便提供，您可以打电话或者在这里问天美或者日立随便那位电镜销售或者电镜维修，他们会解释得更详细。
原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
二次电子探测器总是会混入相当数量的背散射电子，如果将+300伏电压关掉所接受的信号就只有背散射电子了，而背散射的分辨率远小于二次电子的分辨率。所以它叠加在二次电子像上只能是一种干扰，目前还无法去除。我给你发的那张图上的背散射形貌像，明明存在的许多裂纹，在背散射形貌像上却完全不见了。所以说背散射电子形貌像是有假象存在的。
您意思是说4800下探头立体感强是假象？
原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:
嘿嘿a老师，翻翻您的旧帖子，会有新发现！a老师那啥，下面是我对4800探头的理解不知道对不对？一般的4800只是配有上下两个ET探头，没有YAG,没有PDBSE。只不过“上探头”通过ExB技术能接收被散射电子，对吗？ 还有下探头是不能使用ExB功能的对吗？ 还有您说上探头上要加LA90以上可能会和下探头的效果差不多，那么反正上探头使用ExB可以达到下探头的效果，是不是可以就不要下探头了，我自己用我们已经坏掉的4800拍了一张上探头LA100和一张下探头照片，比较一下感觉下探头立体感强很多，而且更清晰，而且更清晰，这又该怎么解释呢？图片今天网站有问题晚点再发？求您挨个问题的指导！谢谢！
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是这样的，ExB和Super ExB是不同的技术，我想我们讨论的基本都是Super ExB~
上探头能够通过Super ExB技术接收由背散射电子激发出的二次电子。
下探头几乎不能从Super ExB技术中获利。
上探头主要反映微观形貌，纳米级；而下探头主要反映宏观形貌，微米级。上探头无法反映宏观形貌，下探头无法反映微观形貌，两者不能互相取代。
您的S-4800坏到啥程度啦~？期待您的照片，我想办法解释~
仪器信息网的图床…真的要改进一下了。
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2.下面是我们坏掉的4800的照片，1.和2是早上时候拍出的照片和束斑；3和4是中午时候拍出的照片和束斑。
样品为同一个样品，谢谢老师，耐心指导！
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是这样的，ExB和Super ExB是不同的技术，我想我们讨论的基本都是Super ExB~
上探头能够通过Super ExB技术接收由背散射电子激发出的二次电子。
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上探头主要反映微观形貌，纳米级；而下探头主要反映宏观形貌，微米级。上探头无法反映宏观形貌，下探头无法反映微观形貌，两者不能互相取代。
您的S-4800坏到啥程度啦~？期待您的照片，我想办法解释~
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2.下面是我们坏掉的4800的照片，1.和2是早上时候拍出的照片和束斑；3和4是中午时候拍出的照片和束斑。
样品为同一个样品，谢谢老师，耐心指导！
原文由 gaominghen(gaominghen) 发表:
1.您说“上探头能够通过Super ExB技术接收由背散射电子激发出的二次电子”，那么，比如在LA50的时候，上探头通过“super ExB”技术接收的是二次电子还是背散射电子？记得以前都是说通过加LA（50），能多接收背散射电子来着？如果是如您所说，上探头接收的就是二次电子（不管是谁激发的），那就好理解上下探头为什么会有这样的区别了。
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