原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:原文由 kawagoe(kawagoe) 发表:原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:原文由 kawagoe(kawagoe) 发表:
最近看到一个产品目录写的参数高真空与低真空一样,有些疑问?不知道厂家可否解释?
低真空与高真空使用不同的探测器,探测原理也不同,可以保证高的分辨率,若干年前已达到2nm。技术也在不断进步。
如果这样就没必要要高真空了!直接低真空观察就可以,还可以观察不导电样品,还不用喷金!那为啥还需要高真空呢?
低真空不得已而为之,污染很大。
原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:原文由 kawagoe(kawagoe) 发表:原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:原文由 kawagoe(kawagoe) 发表:
最近看到一个产品目录写的参数高真空与低真空一样,有些疑问?不知道厂家可否解释?
低真空与高真空使用不同的探测器,探测原理也不同,可以保证高的分辨率,若干年前已达到2nm。技术也在不断进步。
如果这样就没必要要高真空了!直接低真空观察就可以,还可以观察不导电样品,还不用喷金!那为啥还需要高真空呢?
低真空不得已而为之,污染很大。
原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:原文由 kawagoe(kawagoe) 发表:原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:原文由 kawagoe(kawagoe) 发表:
最近看到一个产品目录写的参数高真空与低真空一样,有些疑问?不知道厂家可否解释?
低真空与高真空使用不同的探测器,探测原理也不同,可以保证高的分辨率,若干年前已达到2nm。技术也在不断进步。
如果这样就没必要要高真空了!直接低真空观察就可以,还可以观察不导电样品,还不用喷金!那为啥还需要高真空呢?
低真空不得已而为之,污染很大。