主题:【讨论】为什么ICP-OES相对原子吸收化学干扰要 少些?

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依风1986
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为什么ICP-OES相对原子吸收化学干扰要 少些?大家是怎么认为的?
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edtaag
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我觉得应该是原吸干扰少吧,ICP如果基体复杂的话,光谱干扰很严重的。
abcpgf
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依风1986
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原文由 edtaag(edtaag) 发表:
我觉得应该是原吸干扰少吧,ICP如果基体复杂的话,光谱干扰很严重的。


现在我的讨论是化学干扰在ICP-OES与原子吸收如AA中的比较,相对而言,ICP-OES的化学干扰要少!
依风1986
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原文由 abcpgf(abcpgf) 发表:
楼主的意思是ICP相对于原吸元素干扰多一点?


化学干扰你如何理解的?
不准叫我猪头
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原吸对空白要求高吧,类似分光光度计的感觉,空白值一高,原吸就不好测样了。ICP就稍微好些。
依风1986
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原文由 不准叫我猪头(v2873595) 发表:
原吸对空白要求高吧,类似分光光度计的感觉,空白值一高,原吸就不好测样了。ICP就稍微好些。


其实都一样,ICP对空白要求也高,如果试剂空白高,各个点误差就大,线性有问题等等
edtaag
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原文由 依风1986(xurunjiao5339) 发表:
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我觉得应该是原吸干扰少吧,ICP如果基体复杂的话,光谱干扰很严重的。


现在我的讨论是化学干扰在ICP-OES与原子吸收如AA中的比较,相对而言,ICP-OES的化学干扰要少!


呃,没注意看题面,化学干扰应该ICP少,因为高温啊,6000-10000K基本上就都原子化了。
依风1986
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我觉得应该是原吸干扰少吧,ICP如果基体复杂的话,光谱干扰很严重的。


现在我的讨论是化学干扰在ICP-OES与原子吸收如AA中的比较,相对而言,ICP-OES的化学干扰要少!


呃,没注意看题面,化学干扰应该ICP少,因为高温啊,6000-10000K基本上就都原子化了。


是的,特别是水平方向的中心通道长,温度高等等因素
守一
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原文由 edtaag(edtaag) 发表:
原文由 依风1986(xurunjiao5339) 发表:
原文由 edtaag(edtaag) 发表:
我觉得应该是原吸干扰少吧,ICP如果基体复杂的话,光谱干扰很严重的。


现在我的讨论是化学干扰在ICP-OES与原子吸收如AA中的比较,相对而言,ICP-OES的化学干扰要少!


呃,没注意看题面,化学干扰应该ICP少,因为高温啊,6000-10000K基本上就都原子化了。


是的,ICP这块化学干扰都很少的了
Insm_ff982607
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如果是因为等离子体温度高,那么ICP-MS温度比ICP-OES温度更高,为什么ICP-MS的化学干扰也多呢?
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