主题：每周一问新五：业内盛传电子镜的时代已经开始没落，离子镜在未来十年内将会取代电子镜，请问大家怎么看呢？

应该和背散射电子图像比啊，背散射电子才有成份信息，二次电子主要是形貌信息，当然看不出成份差别了。

zeiss的东东太贵了。

好东西，不过离子源方面现在好象还需要进一步改善一下才能更有利于推广吧，期待用用，毕竟FIB对样品主要的作用是加工而不是成像。

才看到没有贴一张仪器图，现在补上

好东西，提供了新发展思路，赞一个。
去zeiss网站上看了，分辨率不大于0.75nm，加速电压30+-5KV,束流1fA~100pA，通常用0.5~1pA。气源寿命不低于1000小时。最大视野只有1mm，这个小了。感觉缺点是he离子显微镜对真空及样品洁净度要求挺高，装样品需要缓冲室loadlok及plasmon clean，也许亚纳米分辨都要这样吧。
论分辨率，日立的S5500及FEI的megallen都亚纳米了。S5500标称0.4nm，只不过样品要很小。megallen的样品可以很大，从1kv下都能达到0.9nm分辨率，这个挺有意思。所以分辨率上he离子显微镜目前没有明显优势、甚至还不如，所以renxin版主主要强调了背散射离子成像的优越衬度，及对不导电样品的适用性。
  感觉另外一个缺陷是：离子对样品的不可避免的损伤！SIM常用束流0.5~1pA，最大束流100pA，也从侧面证实以上猜测。即使以he离子的二次电子产生率为SEM的6倍计算，0.5~1pA相当于SEM的3pA~6pA，信号的确弱。 细看renxin贴的超高分辨图及zeiss网站上的超高分辨图，都有一个明显的缺点，就是图像噪音大，信噪比差，不如SEM的超高分辨图像细腻。分析原因，觉得比较合理的解释应该是由于怕超高分辨低速度扫描时离子对样品的损伤，所以扫描速度必须快一些，而且束流不能大。He相对于Ga轻很多，但它仍是离子，仍对材料有损伤，尤其对于H、C等轻元素的损伤是不容忽视的，在对于生物样品的高分辨观测时应该会有影响。这会影响它的分辨率的进一步提高。
  此外，SIM是不是不能激发样品原子内层电子跃迁、产生X光？  如是，不能配合EDS分析样品元素成分会是很大的劣势。
  以上只是一些推测，不恰当之处请大家指出。He离子显微镜提供一个新的超高分辨成像方法。相比于发展半个世纪的、已经很成熟的SEM而言，SIM会有很大的发展空间。恭喜zeiss走出了这一步，希望以后将SIM的优势淋漓尽致的展示出来。

[~127218~]

现在的SEM技术很成熟，不知道国内哪一家会是SIM第一个吃螃蟹。上学的时候听说过这个，也没有在意，看来是越来越近了。

跟着老大能学习到很多东东

我看到一个文章，将到用SIM可以测量成分，图谱如附件，我不知道这是什么仪器测出的图谱，肯定不是EDS图谱，哪位兄弟知道请指导一下。

这个有一个网址：http://www.ub.ntnu.no/scorpion-files/l_australasiae_simpictures.php，里面有很多用SIM拍摄的蝎子不同部位的图片，但其中的SIM说是用液态的Ga+离子源，在30KeV下加速的。

原文由 happydfli 发表:



我看到一个文章，将到用SIM可以测量成分，图谱如附件，我不知道这是什么仪器测出的图谱，肯定不是EDS图谱，哪位兄弟知道请指导一下。

Auger 俄歇