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主题：Si片的清洗和处理方法--去除氧化层

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sfsyq
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发表于：2006/10/24 15:39:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
Si上外延生长薄膜通常上面的一层SiO2的去除非常关键，而完全的消除其影响是不可能的，我们只能减小其影响。方法如下：
1。基片清洗：除常规的酒精丙酮去离子水超声外，还要用到双氧水+盐酸和双氧水+氨水的两种酸碱溶液，此外稀释的氢氟酸中浸泡几秒钟可以有效的去除SiO2层。
2。真空热处理：Si片高真空下2小时500度左右退火，有效减少SiO2.
文献中有报道，参考之。
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2006/10/24 16:07:00 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
楼主，请教个问题２的目的是什么呢？
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silva
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2006/10/25 10:52:00 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
好方法，能提供一些处理基片的参考文献吗？
基片处理好了，对长膜很重要。
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coolca
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2006/12/23 21:34:00 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
同求
我的是用化学方法沉积的膜，然后在高温下焙烧，结果膜翘起的非常厉害，郁闷中！！！
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