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主题：【已应助】安捷伦7900量测P元素含量

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Insm_fda1fab5

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发表于：2021/01/12 09:58:32 楼主管理分享正序浏览只看楼主回复私聊

半导体行业，使用安捷伦7900，带有碰撞反应池（H2和He），想要监控无尘室环境中P的含量，做法是将晶圆放环境中一段时间，然后使用萃取液（HF+H2O2）萃取晶圆表面，收集后量测，目前有使用两种方法：1.热电浆模式下，碰撞反应池通了5ml/min的He，但P31的背景很高，线性基本是平的；2.冷电浆模式下，碰撞池不启用，量测PO，线性可以拉出，但是感度很低。

请教各位大神，是否还有其他的量测方式？或者做法中有哪些点不足？还请指点一二，感谢！

推荐答案：光哥回复于2021/01/13

有SiF=47。这个元素以前我做得也不少。
要么试试提高功率到800/900w同时通He，要么换成8900s，要不然最低点50ppt，单杆很难搞。
另外冷焰同时通氦气，你先试试，不一定是你想的没有感度了。建议专门针对47PO做一个调谐文件，手动调各个透镜参数，调的时候配个P单标，看P单标和DIW，让47PO和DIW中47达到最高信噪比。测试的时候单独调用这个调谐条件做P

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光哥

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2021/1/14 14:39:05 28楼管理分享正序浏览只看楼主回复私聊

原文由 Insm_fda1fab5(Insm_fda1fab5) 发表: 这个是最近才尝试做的，平时测Ti48是在热模式，通He，45和47差的有点多吧，质量轴的峰宽卡47±0.1

45=28Si16O1H;但结合Si、O、H的同位素，也有SiOH=47的组合的。这只是通过监控45来看溶液中同时存在有多少的Si而已。

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光哥

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2021/1/14 14:37:22 27楼管理分享正序浏览只看楼主回复私聊

原文由 Insm_fda1fab5(Insm_fda1fab5) 发表: 抱歉，我这边忘记说明一点，片子萃取前，会经过高浓度高纯度的HF雾化晶圆表面（全自动的雾化及萃取，无人为干扰），生成的SiF4按道理已挥发，片子表面只剩水，这样的话再使用HF+H2O2进行萃取量测，应该SiF的干扰很小吧？

但是你要考虑P含量可能很低啊，Si在HF+H2O2条件下，再怎么样也会有溶出的，再怎么低的溶出都会比P的含量高好几个等级吧。任何的干扰其实第一考虑的是干扰源和被干扰物之间的浓度差的

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2021/1/14 12:33:12 26楼管理分享正序浏览只看楼主回复私聊

原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
然后看了下有个疑问：既然是测试环境中的P，为何不用气体收集装置，而偏偏使用这种费时费力的vpd方式呢

客户喜欢，因为这样能够直观的反馈出对片子表面的影响

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2021/1/14 12:07:21 25楼管理分享正序浏览只看楼主回复私聊

原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
发出了令人难以置信的声音：最近FAB厂都在涨价，汽车行业甚至因为无芯可用导致停产了

新厂，目前上升期，资金较为紧张

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2021/1/14 12:06:28 24楼管理分享正序浏览只看楼主回复私聊

原文由 timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:
现有 7900s 是无法满足你的需求了。你看看这篇，8800/8900s

您方便发下邮件吗（740685863@qq.com），公司网络卡控，无法下载，感谢！

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2021/1/14 11:59:01 23楼管理分享正序浏览只看楼主回复私聊

原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
没有Si就行，我忘了冷焰下还有另一个更大的干扰源SiOH。装机的时候工程师没告诉你47要同时监控45的感度？

这个是最近才尝试做的，平时测Ti48是在热模式，通He，45和47差的有点多吧，质量轴的峰宽卡47±0.1

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2021/1/14 11:56:20 22楼管理分享正序浏览只看楼主回复私聊

原文由 光哥(xsh1234567) 发表:

行的方法是将液体 TCS 转移到实验室进行分析。在本研究中，按照适当的安全预防措施将液体 TCS 转移到洁净实验室，并用以下步骤完成细致的样品前处理，然后进行分析：在惰性气氛中通过温和水解将液体 TCS 转化为 SiO2，将其溶解在 HF 溶液中通过加热干燥除去 Si（以 SiF4 气体形式存在）。然后将干燥的残留物重新溶解在 0.4% HCl 溶液中，进行 ICP-MS 分析。

没有任何的意义，这里是去除了Si基体，但楼主的那么一滴溶液显然是无法加热去除的。

抱歉，我这边忘记说明一点，片子萃取前，会经过高浓度高纯度的HF雾化晶圆表面（全自动的雾化及萃取，无人为干扰），生成的SiF4按道理已挥发，片子表面只剩水，这样的话再使用HF+H2O2进行萃取量测，应该SiF的干扰很小吧？

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光哥

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2021/1/13 17:07:49 21楼管理分享正序浏览只看楼主回复私聊

然后看了下有个疑问：既然是测试环境中的P，为何不用气体收集装置，而偏偏使用这种费时费力的vpd方式呢

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光哥

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2021/1/13 15:46:33 20楼管理分享正序浏览只看楼主回复私聊

原文由 fltt(fltt) 发表:
7700s的数据

行的方法是将液体 TCS 转移到实验室进行分析。在本研究中，按照适当的安全预防措施将液体 TCS 转移到洁净实验室，并用以下步骤完成细致的样品前处理，然后进行分析：在惰性气氛中通过温和水解将液体 TCS 转化为 SiO2，将其溶解在 HF 溶液中通过加热干燥除去 Si（以 SiF4 气体形式存在）。然后将干燥的残留物重新溶解在 0.4% HCl 溶液中，进行 ICP-MS 分析。

没有任何的意义，这里是去除了Si基体，但楼主的那么一滴溶液显然是无法加热去除的。

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