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主题：【已应助】DP, CE, EP, CXP必须都优化吗

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发表于：2022/12/04 12:29:58 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
因为DP不呈正态分布的样子，所以想要优化化合物参数和源参数，就是不知道哪些对DP的改善最有贡献？
另外，考虑到方法的通用性和简便性，对DP，CE，EP，CXP必须都优化吗，还是主要优化DP和CE就也足够了，然后对源参数进行优化最好？
推荐答案：歌名回复于2022/12/05
因为DP不呈正态分布的样子，所以想要优化化合物参数和源参数，就是不知道哪些对DP的改善最有贡献？--------------------看你的标液怎么配置，AB的工程师一般要求最后用流动相去稀释标液，所以离子源参数对DP影响不大，我这边优化DP、CE的时候经常不开源温，
另外，考虑到方法的通用性和简便性，对DP，CE，EP，CXP必须都优化吗，还是主要优化DP和CE就也足够了，然后对源参数进行优化最好？---------------一般优化DP、CE就行，但是有些特殊化合物对离子源参数很敏感，离子源参数不对就是跑不出来或者跑不好，这个需要自己慢慢试探
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2022/12/5 9:51:38 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
因为DP不呈正态分布的样子，所以想要优化化合物参数和源参数，就是不知道哪些对DP的改善最有贡献？--------------------看你的标液怎么配置，AB的工程师一般要求最后用流动相去稀释标液，所以离子源参数对DP影响不大，我这边优化DP、CE的时候经常不开源温，
另外，考虑到方法的通用性和简便性，对DP，CE，EP，CXP必须都优化吗，还是主要优化DP和CE就也足够了，然后对源参数进行优化最好？---------------一般优化DP、CE就行，但是有些特殊化合物对离子源参数很敏感，离子源参数不对就是跑不出来或者跑不好，这个需要自己慢慢试探
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hujiangtao
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2022/12/5 20:08:34 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
一般优化锥孔电压和碰撞电压就可以
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