主题:【分享】CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6

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CoolSiC? 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF),在各种负载条件下都表现出更高的效率。

特征描述

    极低的 VF:1.25V

    同类产品中极其优秀的品质因数 (Qc x VF)

    无反向恢复电荷

    与温度无关的开关行为

    dv/dt 稳定性

    优化热性能

优势

    提高各种负载条件下的配置总线效率

    增加系统功率密度

    降低冷却要求,提高系统可靠性

    支持超快速开关轻松有效匹配 CoolMOS? 7 系列产品

    优秀的性价比

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肖特基二极管,顾名思义,是以其发明人肖特基博士(Schottky)名字命名的一种热载流子二极管。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可以达到几千安培,可以作为开关二极管和低压大电流整流二极管使用,这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。其完整的叫法是肖特基整流二极管(Schottky Rectifier Diode),缩写成SR;也可叫做肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),缩写成SBD。
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