主题：【求助】Li漂移Si为什么需要冷却？不冷却会怎么样？

原文由 lisonghaerbin 发表:
Li漂移Si为什么需要冷却？不冷却会怎么样？Si中为什么要加入Li呢，目的是什么，请教各位大侠

原文由 tao______ 发表:

原文由 lisonghaerbin 发表:
Li漂移Si为什么需要冷却？不冷却会怎么样？Si中为什么要加入Li呢，目的是什么，请教各位大侠

其实Si（Li）探测器中需要冷却的部件有三个，第一，就是Si（Li）晶体，第二，FET，在晶体后面通过金导线和晶体相连，第三，分子筛，用来吸附气体或微小颗粒，保持真空度和洁净度。
1.冷却Si（Li）晶体是因为
a)掺杂的Li离子活性很强，因此需要用低温来限制它的活性，防止它的反向漂移。如果反向漂移严重探测晶体就完蛋鸟.
b)X射线在晶体里面电离会产生热量，用液氮热交换冷却，降低噪音。
2.冷却FET，完全是为了降低噪音，因为从晶体获得的信号非常微弱，如不用液氮冷却，信号会被淹没在噪音里.
3.分子筛的冷却就是为了更好的吸附探测器真空环境里的气体或者微小粒子。
最后，还是要说一下我们布鲁克的SDD（硅漂移二极管）能谱，无需液氮制冷，完全不同的设计理念，业内最好的125ev的分辨率，应该说，SDD是能谱的发展方向。

原文由 tao______ 发表:
谢谢关注，简单说一下SDD和传统Si（Li）的区别
1.SDD硅管脚和场效应管为一体之间没有导线相连，这样就降低电容，热噪音和漏电流,这也是我们能够实现125ev分辨率的原因所在
2.SDD工作温度仅-25度，因此无需液氮制冷，通过两级帕尔帖效应制冷方式实现，开机20秒即可正常工作，非常方便。
3.SDD的速度是Si（Li）的10倍，可以在100kcps的输入计数下保持125分辨率不变。特别适合做Mapping
4.SDD的死时间小，举例如下：
2kcps输入计数时候，SDD死时间为0 Si（Li）为10以内
5kcps输入计数时候，SDD死时间为5以内 Si（Li）为30～40以内
10kcps输入计数时候，SDD死时间为15以内， Si（Li）为100％
5.重量：SDD能谱2.5kg ,Si（Li）加满液氮超过25kg，有时候会造成镜筒倾斜。

原文由 l_feier 发表:
平常不用的时候可以不用液氮冷却不？
使用前再加液氮，这样对探头有影响没？（如准确度和使用寿命？）

原文由 tao______ 发表:
楼上的，好东西自然不会便宜，这么说吧，假定Si（Li）探测器寿命为8年，那么除了8年内所用液氮的消耗，再加上几千美刀就可搞定SDD。您说哪个合算呢？

原文由 amoslau 发表:

原文由 tao______ 发表:
楼上的，好东西自然不会便宜，这么说吧，假定Si（Li）探测器寿命为8年，那么除了8年内所用液氮的消耗，再加上几千美刀就可搞定SDD。您说哪个合算呢？

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