主题:【求助】MS 中二次放电到底是怎么来的?

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juanbaby52
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MS 中二次放电到底是怎么来的?谁能给我详细的讲一下其产生过程?
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chauchylan
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可以参看一下:<电感耦合合等离子体质谱应用实例>这本书.
作者:王小如 主编
多原子离子的产生主要就是和二次放电有关吧,降低二次放电可以减小多原子离子的产生..
chauchylan
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对于二次放电的消除,不同公司采用的措施也不尽相同..
唐伯猫点蚊香
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是的,有采用冷等离子体技术,有采用屏蔽炬技术,但实际应用还有问题.
chauchylan
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二次放电主要发生在采样锥与分离锥之间吧,是由于等离子体具有较高的电位而产生的..减小的措施有带中心抽头负载线圈接法,即负载线圈中心接地,还有采用屏蔽炬技术的..
chauchylan
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等离子体处于常压,采样锥与截取锥大约有几百至几十帕的气压,处于低真空,质量分析器则处于高真空,由此可见两锥之间极易放电,是多原子离子产生的地方之一..
chauchylan
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降低多原子离子干扰的一个主要途径就是减小二次放电效应吧..

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