原文由 tao______ 发表:原文由 icewine2000 发表:原文由 tao______ 发表:楼上的兄弟,您说的没错,但是入射电子里面的99.7%以上的部分都转化为热能了,所以二次电子比起入射电子还是要少很多啊,呵呵,欢迎讨论!谢谢你的回复原文由 semoperator 发表:
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二次电子激发过程中能量衰减<100%,只有出射能量小于50ev的出射电子定义为二次电子,因此入射电子的数量要比产生的二次电子数量多很多。
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二次电子数可以比入射电子数多的多,一个入射电子可以激发多个二次电子。
二次电子数当然可以远多于入射电子数,图里描述的很清楚了。
SE效率=I_se / I_p, 是通过测量实际电流算出的。入射电子在转化热能的过程中不知道激发了多少个二次电子。
原文由 icewine2000 发表:原文由 tao______ 发表:谢谢回复,我觉的您举的例子是一个特殊情况,根据我的了解二次电子二次电子产额与入射电子能量的关系是这样的:如图:原文由 icewine2000 发表:原文由 tao______ 发表:楼上的兄弟,您说的没错,但是入射电子里面的99.7%以上的部分都转化为热能了,所以二次电子比起入射电子还是要少很多啊,呵呵,欢迎讨论!谢谢你的回复原文由 semoperator 发表:
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二次电子激发过程中能量衰减<100%,只有出射能量小于50ev的出射电子定义为二次电子,因此入射电子的数量要比产生的二次电子数量多很多。
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二次电子数可以比入射电子数多的多,一个入射电子可以激发多个二次电子。
二次电子数当然可以远多于入射电子数,图里描述的很清楚了。
SE效率=I_se / I_p, 是通过测量实际电流算出的。入射电子在转化热能的过程中不知道激发了多少个二次电子。
二次电子产额与入射电子能量的关系 上图说明了入射电子能量E较低时,随束能增加二次电子产额δ增加,而在高束能区,δ随E增加而逐渐降低。这是因为当电子能量开始增加时,激发出来的二次电子数量自然要增加,同时,电子进入到试样内部的深度增加,深部区域产生的低能二次电子在像表面运动过程中被吸收。由于这两种因素的影响入射电子能量与δ之间的曲线上出现极大值,这就是说,在低能区,电子能量的增加主要提供更多的二次电子激发,高能区主要是增加入射电子的穿透深度。
因此只有在少数情况下二次电子产额才会大于入射电子,也就是图中曲线的最高点部分区域。不知道我的理解是否正确,欢迎指正。谢谢!
原文由 tao______ 发表:
二次电子产额与入射电子能量的关系 上图说明了入射电子能量E较低时,随束能增加二次电子产额δ增加,而在高束能区,δ随E增加而逐渐降低。这是因为当电子能量开始增加时,激发出来的二次电子数量自然要增加,同时,电子进入到试样内部的深度增加,深部区域产生的低能二次电子在像表面运动过程中被吸收。由于这两种因素的影响入射电子能量与δ之间的曲线上出现极大值,这就是说,在低能区,电子能量的增加主要提供更多的二次电子激发,高能区主要是增加入射电子的穿透深度。
因此只有在少数情况下二次电子产额才会大于入射电子,也就是图中曲线的最高点部分区域。不知道我的理解是否正确,欢迎指正。谢谢!
原文由 tao______ 发表:原文由 semoperator 发表:先回答您的第一个问题:入射电子的行为,从加速电子轰击样品开始,大部分的电子转化为热能,只有少数入射电子会激发其他信号,RENXIN版主解释过了,少数的入射电子会和样品有两种作用,第一:弹性碰撞模型,这种模型的实质是卢瑟福散射,入射电子其实是和原子核作用,入射电子的能量并没有改变严格讲应该是改变很小,只是运动的方向改变,通过改变运动方向散射出来,散射出来的这样的电子叫做背散射电子。第二:非弹性碰撞模型,这种模型的实质是入射电子和原子核外层的电子作用,作用过程很多,如连续X射线激发,二次电子激发,其他射线的激发,等等,二次电子激发只是其中的一种,当然在各种激发的过程中原先入射电子的能量衰减的多少是不一样的,比如连续X射线激发,入射电子能量衰减100%;二次电子激发过程中能量衰减<100%,只有出射能量小于50ev的出射电子定义为二次电子,因此入射电子的数量要比产生的二次电子数量多很多。到这里你的第一个问题已经解决了,入射电子以背散射电子,二次电子,以及其他射线的形式释放出来了,并不在样品里面。
这个讨论挺有意思,我在补充几个问题,期望有人帮我澄清:
1. 入射电子的行为问题:经过加速的电子轰击到样品,使得样品产生各种信号,如二次电子,那入射电子激发出二次电子后,它本身去了哪里呢?如果它激发出样品深处的基态电子,导致高能态的电子向基态跃迁并释放X射线,那这个入射电子能否主动去填充低能级的基态,而不麻烦高能级的电子去填充呢?绝大部分的入射电子一般都去了哪里?
2. 二次电子的行为问题: 二次电子只能从样品最表面的几十个nm层被激发出来,为什么更深处的二次电子跑不出来?或者更深处就根本没有激发出二次电子?二次电子逸出表面必须要克服一个什么阻力或能量,是样品表面能,还是所谓的费米能级?被激发出来的二次电子是来自什么能级,如果是低能级,那是否也伴有X射线;如果是最高能级,那又有哪里的电子补充最高能级的缺位呢?
第二个问题:入射电子不能主动填充,因为核外电子有严格的能阶分布,这个很简单。
第三个问题:二次电子定义为入射电子和核外电子作用后出射的<50ev的电子为二次电子,满足这两个条件的只能是入射电子和表层样品作用以后的出射电子。超过某一深度,入射电子和核外电子作用后二次电子产额为零。
以上回答仅供参考。欢迎继续讨论