原文由 eigen 发表:
首先说明一下,我是新手,正在学习阶段,说错的麻烦毫不客气的指出啊:)
二次电子的产率主要只跟样品的表面形貌有关吧,所以用二次电子像来表征形貌;SEM里的各种探头中,只有二次电子探头能够主动的吸附二次电子,其他几种探头都是被动的吧;另外背散射探头的位置比较特殊,因为背散射电子本身方向是比较特殊的,而二次电子在各个方向都会有。
原文由 RENXIN 发表:原文由 amoslau 发表:原文由 RENXIN 发表:
再请问为什么二次电子检测器会探测到背散射电子呢,如果这个问题您不屑回答的话,请问是否有可能二次电子检测器只看二次电子,背散射电子检测器只看背散射电子呢。
嘿嘿,当然能了,Zeiss的二次电子探测器就可以只看二次电子啊,具体什么原理还要请大虾明示,我去找只笔记下来学习学习!高能过滤?自己瞎猜不要见笑!
猜对了一半。
能量过滤装置使 背散射探头只看背散射电子。
静电透镜设计使得二次电子探头只关心真正的二次电子, 产生纯二次电子像。
低端的二次电子探头其实是 ET探头, EVERHART 和 THOELEY 先生的发明,以讹传讹, 不知道怎么就叫成 二次电子探头了。
不得不承认这一点FEI做得很好, ET探头叫ETD,不叫SED。