主题:请教:场发射扫描电镜可以做显微偏析吗?

浏览0 回复13 电梯直达
huang150429
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我正在做材料的显微偏析(S和P),去年我用EPMA做,可是EPMA的成像不好(比不上扫描电镜),我没办法分辨微区(几个微米左右),另外材料中S含量很低,只有几十个ppm左右,SEM打不出来。我想问问大家,我这种情况,用场发射扫描电镜可以实现吗?如果不行,还有什么其他的方法可以实现啊?谢谢,我就靠这个博士毕业呢,呵呵。。。
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happydfli
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若s、p不是以某种形态,如粒子、化合物什么的存在,而是在固溶体中,则无法用SEM辨别形貌。 通常现扫或面扫可以确定偏析情况,但SEM附带的eds也无能为力,毕竟元素含量太少了。

对否?
huang150429
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是的,S、P是以固溶体的形式存在钢基体中,但是我并不是想看S、P的形貌,而是钢的枝晶干和二次枝晶臂处P、S含量的差异(也就是枝晶偏析),因为二次枝晶间距只有几个微米,S、P含量又很低,只有几十个ppm,所以很难,不知到采用什么方法好。
happydfli
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原文由 huang150429 发表:
是的,S、P是以固溶体的形式存在钢基体中,但是我并不是想看S、P的形貌,而是钢的枝晶干和二次枝晶臂处P、S含量的差异(也就是枝晶偏析),因为二次枝晶间距只有几个微米,S、P含量又很低,只有几十个ppm,所以很难,不知到采用什么方法好。


一般SEM 佩戴的EDS分辨极限在700ppm,而WDS在100ppm左右,你的元素用能谱或波谱似乎都不行了。
sysmith
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happydfli
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原文由 sysmith 发表:
问问版主,用TEM+EELS是否可行?


用TEM制作样品可能有一定难度,要保证在样品上顺利找到枝晶臂,干。
奔跑的蜗牛
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TEM倒是能看得出,不过有谁能有办法把样品的位置做得那么精确呢,运气不是一般的好。难
huang150429
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由于出差,好几天没来这里逛了,呵呵。。。谢谢大家对我的疑问的精心回答。我的S的含量只有80ppm,P有280ppm,能精确到几个ppm的检测仪器,真的没有啊???那老板还死活让我做,
毒菇九剑
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难度是比较大啊.

能问一下你原来用EPMA时S,P几十个PPM的可以测到吗?

原文由 huang150429 发表:
我正在做材料的显微偏析(S和P),去年我用EPMA做,可是EPMA的成像不好(比不上扫描电镜),我没办法分辨微区(几个微米左右),另外材料中S含量很低,只有几十个ppm左右,SEM打不出来。我想问问大家,我这种情况,用场发射扫描电镜可以实现吗?如果不行,还有什么其他的方法可以实现啊?谢谢,我就靠这个博士毕业呢,呵呵。。。
huang150429
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当时做EPMA的时候,他的成像系统比较不好,在屏幕上很难区分枝晶干与枝晶臂,另外几十个ppm的含量,可以打出来,但是不准确,所以没办法,因为做偏析,如果打的不准(分辨率应该在几个ppm,偶认为),就没有任何意义了,嘿嘿。。。
毒菇九剑
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那先看看有没有场发射SEM上面配波谱的, 先试试吧. 但我估计可能用XPS或AES做可能会更合适吧

原文由 huang150429 发表:
当时做EPMA的时候,他的成像系统比较不好,在屏幕上很难区分枝晶干与枝晶臂,另外几十个ppm的含量,可以打出来,但是不准确,所以没办法,因为做偏析,如果打的不准(分辨率应该在几个ppm,偶认为),就没有任何意义了,嘿嘿。。。
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