主题：请教静电力和表面电势显微镜

静电力显微镜
静电力显微镜(electric force microscopy, EFM)是在导电的AFM针尖上加一偏压，针尖至少在扫描的一半时间内以固定频率振动。它有两种成像方式——电场梯度成像和表面电势成像。
电场梯度成像
悬臂在压电陶瓷的驱动下以一固定的频率振动，驱动频率 (driving frequency) 选择在共振频率 (resonant frequency) 附近。如果受到外力作用，悬臂的共振频率会改变：吸引力使悬臂表现得更“软”，共振频率降低；反之，如果受到排斥力，则共振频率升高。
可以用三种方式探测插入扫描中悬臂共振频率的偏移：相检测 (phase detection)、频率调制 (frequency modulation)和振幅检测 (amplitude detection)，前两种必需用扩展电子模组 (extender electronics module)。图像上的反差 (contrast) 来自于样品表面静电力梯度引起的悬臂共振频率的偏移。
电场梯度成像适用于表面电势起伏较大而拓扑形貌较平整的样品，否则拓扑形貌信息就会掺杂在表面电势的成像中，因为在越粗糙的表面，静电力梯度越密集。在电场梯度成像中，既可以在针尖也可以在样品上加电压，但如果样品本身有永久性的电场，就不需要外加偏压。
表面电势成像
表面电势成像中必须用到扩展电子模组，成像方式与KPM (Kelvin probe microscopy) 和Scanning Maxwell Stress Microscopy类似。在插入扫描中，压电陶瓷晶片的振动停止，在针尖上加一振动电压，针尖与样品之间产生振动的驱动力F
        F＝Vdc×Vac×（dC/dZ）
其中，Vdc＝Vtip－Vsample  是针尖与样品间的直流电势差。
当Vdc = 0，即针尖与样品的电位相等时，针尖就不再受到振动的驱动力。此时可以确定样品表面的电势，针尖上所加的电压就反映在EFM的图像中。表面电势成像适用于粗糙表面或表面电势起伏较小的样品。

知识真渊博啊，努力学习中。。。。。。

原文由 ssh110 发表:
静电力显微镜
静电力显微镜(electric force microscopy, EFM)是在导电的AFM针尖上加一偏压，针尖至少在扫描的一半时间内以固定频率振动。它有两种成像方式——电场梯度成像和表面电势成像。
电场梯度成像
悬臂在压电陶瓷的驱动下以一固定的频率振动，驱动频率 (driving frequency) 选择在共振频率 (resonant frequency) 附近。如果受到外力作用，悬臂的共振频率会改变：吸引力使悬臂表现得更“软”，共振频率降低；反之，如果受到排斥力，则共振频率升高。
可以用三种方式探测插入扫描中悬臂共振频率的偏移：相检测 (phase detection)、频率调制 (frequency modulation)和振幅检测 (amplitude detection)，前两种必需用扩展电子模组 (extender electronics module)。图像上的反差 (contrast) 来自于样品表面静电力梯度引起的悬臂共振频率的偏移。
电场梯度成像适用于表面电势起伏较大而拓扑形貌较平整的样品，否则拓扑形貌信息就会掺杂在表面电势的成像中，因为在越粗糙的表面，静电力梯度越密集。在电场梯度成像中，既可以在针尖也可以在样品上加电压，但如果样品本身有永久性的电场，就不需要外加偏压。
表面电势成像
表面电势成像中必须用到扩展电子模组，成像方式与KPM (Kelvin probe microscopy) 和Scanning Maxwell Stress Microscopy类似。在插入扫描中，压电陶瓷晶片的振动停止，在针尖上加一振动电压，针尖与样品之间产生振动的驱动力F
        F＝Vdc×Vac×（dC/dZ）
其中，Vdc＝Vtip－Vsample  是针尖与样品间的直流电势差。
当Vdc = 0，即针尖与样品的电位相等时，针尖就不再受到振动的驱动力。此时可以确定样品表面的电势，针尖上所加的电压就反映在EFM的图像中。表面电势成像适用于粗糙表面或表面电势起伏较小的样品。

请问，我们组里有一台[真空AFM]，请问，如果我用可导电的针尖，并在针尖和样品上加一个电压，这台机器是不是就可以测样品表面静电力梯度。如果可以的话，我应该用´三种方式探测插入扫描中悬臂共振频率的偏移：相检测 (phase detection)、频率调制 (frequency modulation)和振幅检测 (amplitude detection)´中的哪一种呢，参数应该怎样分别设置呢

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请教一下：表面电势和电导率之间是什么关系？

原文由 清风侠(ssh110) 发表:
静电力显微镜
静电力显微镜(electric force microscopy, EFM)是在导电的AFM针尖上加一偏压，针尖至少在扫描的一半时间内以固定频率振动。它有两种成像方式——电场梯度成像和表面电势成像。
电场梯度成像
悬臂在压电陶瓷的驱动下以一固定的频率振动，驱动频率 (driving frequency) 选择在共振频率 (resonant frequency) 附近。如果受到外力作用，悬臂的共振频率会改变：吸引力使悬臂表现得更“软”，共振频率降低；反之，如果受到排斥力，则共振频率升高。
可以用三种方式探测插入扫描中悬臂共振频率的偏移：相检测 (phase detection)、频率调制 (frequency modulation)和振幅检测 (amplitude detection)，前两种必需用扩展电子模组 (extender electronics module)。图像上的反差 (contrast) 来自于样品表面静电力梯度引起的悬臂共振频率的偏移。
电场梯度成像适用于表面电势起伏较大而拓扑形貌较平整的样品，否则拓扑形貌信息就会掺杂在表面电势的成像中，因为在越粗糙的表面，静电力梯度越密集。在电场梯度成像中，既可以在针尖也可以在样品上加电压，但如果样品本身有永久性的电场，就不需要外加偏压。
表面电势成像
表面电势成像中必须用到扩展电子模组，成像方式与KPM (Kelvin probe microscopy) 和Scanning Maxwell Stress Microscopy类似。在插入扫描中，压电陶瓷晶片的振动停止，在针尖上加一振动电压，针尖与样品之间产生振动的驱动力F
        F＝Vdc×Vac×（dC/dZ）
其中，Vdc＝Vtip－Vsample  是针尖与样品间的直流电势差。
当Vdc = 0，即针尖与样品的电位相等时，针尖就不再受到振动的驱动力。此时可以确定样品表面的电势，针尖上所加的电压就反映在EFM的图像中。表面电势成像适用于粗糙表面或表面电势起伏较小的样品。