主题：【求助】求教:分析太阳能级多晶硅元素含量(6N级)采用哪个公司的ICP效果好?

我觉得热电的好！

原文由 xnhhsdgm 发表:
太阳能级的要求不是很高，一般的ICP-MS就可以了。安捷轮的7500cs是专用于多晶硅检测的，很贵的，用于电子级的比较划算点。

同意,ICP-OES要测6N的硅好多元素灵敏度不够,还得MS.

最近我做了两个新能源的项目，一个是光伏薄膜，一个就是生产多晶硅的，我参照了一下，ICP-MS是能解决你的问题，效果要好于OES，但价格高呀，这两家买的ICP-OES。至于你说的表面我不知道你说的是检测表面的凹凸粗糙度还是别的什么，我知道表面的粗糙度用台阶仪，还有一种激光共聚焦显微镜，可以看到表面的凹凸和粗糙度，用拍照的功能取图象。我给你列了一些做表面测试的设备，你看看，有什么问题你联系我，
   
◎表面机械性能测试设备
*微纳米力学测量系统
*可控环境型微纳米力学测试*系统
*超纳米压痕仪 UNHT
*纳米压痕仪 NHT
*动态超显微硬度计/超显微硬度计/纳米硬度计
NHX
*纳米划痕仪 NST
*显微划痕仪 MST
*大载荷划痕仪 RST
*纳米摩擦仪 NTR
*摩擦仪（摩擦试验机）TRB
*高温摩擦试验机 THT
*真空摩擦试验机 HVT
*膜厚仪/球磨仪 Calo
*微力矩测量仪

◎表面计量设备
*高精度台阶仪
*三维微纳米轮廓仪（多模式/非接触）
*原子力显微镜（AFM/SPM）
*超低温扫描探针显微镜（mK-SPM/LT-SPM）
*薄膜应力测量仪（UltraScan）
*原位薄膜应力仪（MOS Scan）
*全息显微镜
*激光测振仪（LSV 激光干涉仪、激光测速仪）

原文由 xsh1234567 发表:

原文由 wentian4098 发表:
多谢大家的关心,目前我联系了一些厂商,报价高的吓人哦,热电的20W美子,安捷伦的30W美子,还都是不算关税...这个成本说实话太高了 ,我们只是在实验阶段,哎,看领导舍不舍得放血了哈哈.另外还查到辉光放电也能测固体元素表面分析,而且能达到ppt级别,不知道有达人了解吗?指点下小弟

GDMS的俺也了解。有机会再联系联系。

GDMS这东西太贵了，据说厦门大学也有这方面的研究，不知道有没有商品化。

原文由 wentian4098 发表:
各位大虾,我公司想购买专门用于分析多晶硅(6N级)的各元素含量的仪器,请问哪个公司的ICP较好,首先考虑性能其次价格.另外,到底是ICP-OES好还是ICP-MS的好呢?
小弟先谢谢了

做6N级多晶硅中的各元素含量分析应选用ICP-MS,而且对操作环境及所用试剂纯度有严格要求.

关于多晶硅在ICP和辉光上的应用可以找我,

原文由 wentian4098 发表:
多谢大家的关心,目前我联系了一些厂商,报价高的吓人哦,热电的20W美子,安捷伦的30W美子,还都是不算关税...这个成本说实话太高了 ,我们只是在实验阶段,哎,看领导舍不舍得放血了哈哈.另外还查到辉光放电也能测固体元素表面分析,而且能达到ppt级别,不知道有达人了解吗?指点下小弟

GDMS设备更贵，不过你们可以委外检测。EAG上海，

太阳能电池，所需要的多晶硅到底要多纯，这个问题是困扰各个多晶硅厂家的问题。有人说7N，有人说6N ，有人说5N 就可以。其实，这些说法可能都不错。

首先，要对材料的定义术语来一个约定。通常我们说6N ，或5N ，理论上，应当是指用100减去硅中所含有的所有杂质的浓度的百分比数目所得到的“9”的个数。例如，如果所有杂质浓度加起来为10ppm，也就是0.001%，那么100减后，为99.999%，我们称之为5个9，或者5N， N 代表英文的nine，就是“九”的意思。

所以，5N，指的是百分数里小数点前后的所有的“9”的个数，而不是小数点后的“9”的个数。

上面的定义虽然严格，但是，要将硅中的所有元素（109个）全部检测一遍，谈何容易。目前在 ppm级的精度，测试元素含量比较普遍的仪器是ICP-AES（电感耦合等离子体发射光谱仪），或ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪），也有采用GDMS（辉光放电质谱仪）的，这些仪器如果分开测量的话，一共可以测量到60~70个元素，但一次能够测量的元素通常只有20~30个。通常人们会选取硅中比较常见的，含量较多的元素来测量，而其它的元素，虽然没有测，但通常都处于探测极限之下了，即便有也是很微量的，因此，测不测，其实结果是差不多的。

还需要说明的是，以ppm（百万分之一）表示杂质的含量时，还有ppmw和ppma的分别。ppmw指的是按重量（质量）计算的浓度，如B 是2ppmw，即指在每克硅中有2微克硼；而ppma则指的是原子密度计算的浓度，即每百万个硅原子有几个杂质原子。对于同一个材料来说，ppmw和ppma是有一定的对应关系的，其比值与硅原子和杂质原子的原子量的比值相同。例如，硅的原子量为28，而硼的原子量为11，如果硼的浓度为2ppmw，则对应的ppma的值就是：2*28/11= 5.1ppma。通常，ICP-AES，ICP-MS，GDMS给出的是ppmw的值，而FTIR 等光谱仪给出的是ppma的值。本文中给出的 ppm如果不加说明的话，都是指ppmw。

此外，人们发现，硅中有些元素，例如C，O，N，H 等非金属元素，当其它的杂质的纯度到了一定的程度后，自然会降低到一定的程度，例如小于10ppm ，这时，这些元素对于硅作为太阳能电池的性能如转换效率已经不会有不良的影响（有分析表明，C、O各在20ppma以下，都不会使电池片产生明显的衰减现象，也不会对电池片的转换效率有影响，但笔者认为此结果有待商榷），因此，只要这些元素的含量不会过大，通常就不需要将这些元素的含量从总的含量中减去了。

因此，现在人们为了省事，通常就用100减去使用常规的ICP 等仪器所测量出来的二三十个元素得到的数值来代表所测量的硅材料的纯度。这表示方法虽然不是十分严谨，但与理论上的定义也区别不大。另外，这个方法不考虑如C、N、O、H等无害元素，当这些杂质的含量没有大到足以影响光电转换效率的时候，还可以把这些无关的元素屏除，可以使这些杂质含量指标更好地与电池的性能对应，因此，目前，是广泛为人们所接受的表示法。

而对于金属硅，由于其中最大量的元素是铁、铝和钙，因此，通常就用100减去这三种杂质的含量之和的值来宣称是多少个九了。比如，含铁600ppm，铝300ppm, 钙100ppm，那么这三种杂质含量之和为1000ppm，也就是0.1%，那么用100%减去后，得到99.9%，也就可以说，该金属硅是3N的。这个表示法，虽然不严格，与目前国内对金属硅的规格等级的定义也能对应得上。

除了整数的N 外，还有小数的。例如，说5.5N，指的是纯度为99.9995%，而5.2N，指的是纯度为99.9992%。因此，这种叫法可以很直观而便捷地给出硅料的纯度，尽管不太规范，但却可以很明确地表示纯度的方法，也不妨约定俗成，推广使用。

网上找的，希望对你有用。

原文由 wentian4098 发表:
各位大虾,我公司想购买专门用于分析多晶硅(6N级)的各元素含量的仪器,请问哪个公司的ICP较好,首先考虑性能其次价格.另外,到底是ICP-OES好还是ICP-MS的好呢?
小弟先谢谢了

小弟是做ICP-AES/OES的，接触过几家多晶硅的企业，ICP-AES/OES确实不能达到你所要求的级别，MS没问题。不过现在很多较大型的光伏厂家用的是GDMS，因为ICP-MS也不能完全解决问题。当然这两种MS的价格都不菲，尤其是辉光。如果资金不是问题，还是选择GDMS。如果短期内无法解决资金问题，先选择在好点的检测机构也是一条路