主题:【求助】SEM检测时会不会对样品造成结构上破坏

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starfae
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电镜电子束打到物体表面后与检测物内的电子,原子发生碰撞时,会发射出二次电子,背散射电子,X射线等,那这个过程会不会对检测物的物理结构,分子结构造成破坏.对回复者提前说大话谢了.另外怎么样结贴了,麻烦也附上,因为我还是个新手不会结帖,谢谢.
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那要看试样的材料是什么,还要看测试条件,比如加速电压,束流密度等.
一般来说,普通金属合金,良好导电体不会有影响的.但是电绝缘体就难说了,比如软化温度不高的高分子材料,就只能用很低的加速电压.有的样品还必须用ESEM来代替SEM.
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原文由 peterhsiao 发表:
那要看试样的材料是什么,还要看测试条件,比如加速电压,束流密度等.
一般来说,普通金属合金,良好导电体不会有影响的.但是电绝缘体就难说了,比如软化温度不高的高分子材料,就只能用很低的加速电压.有的样品还必须用ESEM来代替SEM.

那对半导体材料会有影响没,比如说晶片
半个网客
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因为有电子束流注入,对于半导体器件极有可能造成破坏和失效;对于高纯度的半导体材料,适当调整加速电压和束流,应该是没有问题的。
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