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ID:6sbiam
行业:其他
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ID:linhonglu
原文由 linhonglu 发表:那个都可以,一系列用一个标准即可
ID:tqyhappy
原文由 6sbiam 发表:原文由 linhonglu 发表:那个都可以,一系列用一个标准即可多谢!可是我用DSC测试这个物质的Tg时,只有40多度,为什么与DMA的相差这么多?
ID:zhengkang
原文由 tqyhappy 发表:原文由 6sbiam 发表:原文由 linhonglu 发表:那个都可以,一系列用一个标准即可多谢!可是我用DSC测试这个物质的Tg时,只有40多度,为什么与DMA的相差这么多?测Tg不要用DSC,只有晶体或体系发生明显热变化的时候才用DSC分析热突变,测Tg按道理应该用DMA比较准确
ID:lemonq
ID:free365
原文由 6sbiam 发表:查阅了有关资料,说可以是Tan Delta峰,可以是损耗模量的峰值,可以是储能模量的半高峰,可以是储能模量曲线的起始位置,可我发现这几个都相差很多,那么到底以哪个为准?请指教!谢谢!附件是曲线图
原文由 6sbiam 发表:多谢!可是我用DSC测试这个物质的Tg时,只有40多度,为什么与DMA的相差这么多?