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扫描电镜（SEM/EDS）

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主题：秀下----离子研磨机

浏览0 回复36 电梯直达

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forzamarco

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2009/2/2 16:29:22 11楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 altt 发表:
看了你的照片，感觉不错，想了解一下样品是怎么固定在底座上的，是用导电胶吗？另外如果样品导电性不好，为什么剖面没有charg 现象呢？

如图所示,样品直接用导电胶粘在载台上,然后再放入离子研磨机的样品台上,放入研磨机中.载台的侧面有螺丝孔,样品在研磨完毕后,可以直接锁在SEM的样品台上,放入SEM中进行观察.因为刚做完离子研磨,样品的表面会有残留大量的离子,SEM电子束打下来会与离子中和,因此可以抑制charge-up现象.
当然在离子研磨机的样品台上有个光罩,可以把样品不需要研磨的部分遮挡住,从而保护样品的其他位置不会被离子束撞击.

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icewine2000

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2009/2/3 22:19:15 12楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

请问你切的这两个样品分别用了多少时间?

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2009/2/4 15:05:42 13楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 icewine2000 发表:
请问你切的这两个样品分别用了多少时间?

样品研磨的深度主要受样品的材质,离子束激发电压,离子束加速电压,氩气的流速,和研磨时间的影响.
以纯硅片来说,激发电压及加速电压最大(分别为4kV,6kV),每个小时研磨的厚度不小于100um.而第一张图片中的样品的研磨时间为8个小时,而研磨的厚度超过的900um.其实在实际操作中,以上各个参数都是可变的,具体样品要具体对待.当然,一般的时候还是会将激发电压和加速电压开在最大.

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2009/2/4 15:23:10 14楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

样品要想得到好的研磨效果,有两个条件,一,样品的表面要平坦,二是,样品厚度要小,一般不要超过5mm.样品研磨的是其横截面,在放置样品时其上表面与光罩紧密贴在一起,如果表面不够平整,会留下许多的空隙,在实际研磨中产生的离子及样品的碎屑会跑到空隙中,这样研磨出来的断面上会看到类似划痕一样的东西.如果样品过厚,在研磨的过程中不容易被离子束打穿,这样,离子束反溅,也会影响研磨的效果.再贴一张样品研磨过程的示意图,样品欲研磨的区域要放置在离子束击打的中间区域,而样品的外侧(欲研磨观察的面)要超出光罩一段距离,一般是50um左右,当然此距离可以在光学显微镜下进行调整.

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2009/2/6 0:11:42 15楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

我以前玩过其他牌子的ion milling，感觉最大的问题就是太慢花的时间太久，上一天班才能做一个样品实在是受不了。而且很多样品是不透明的，从上面根本就无法放标尺定位，而且也不能一边磨一边看。实在是很鸡肋的产品。。。

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2009/2/10 15:55:09 16楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

好象价格也不便宜,适合于研发机构,速度是慢了点

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2009/2/10 20:50:09 17楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

原文由 icewine2000 发表:
我以前玩过其他牌子的ion milling，感觉最大的问题就是太慢花的时间太久，上一天班才能做一个样品实在是受不了。而且很多样品是不透明的，从上面根本就无法放标尺定位，而且也不能一边磨一边看。实在是很鸡肋的产品。。。

你说的确实是它目前的局限性,不过正因为它有局限,所以存在更大的发展空间.就如电子显微镜的功能越来越完善一样.我刚接触设备的时候就和同事讨论过加装研磨时观察效果的可行性,在研磨机的chamber有留可扩展的接口,为以后升级/加装提供可能.其实我觉得设备难在应用上,样品放置的位置,研磨参数的不同都影响做出来的效果. 当然如果你说的要求都能实现的话,那估计它也能卖到一台FIB的价格了.