主题:【讨论】写个探测器的对照表吧

浏览0 回复28 电梯直达
sartre
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同样是Si(Li)晶体的探测器仪器,如何选择?
主要是看晶体的面积,晶体面积越大,探测效率越高,灵敏度越高,性能越好,价格越贵。目前国际市场的上晶体面积从5mm2 8mm2,10mm2.,15mm2 30mm2……都有
一般认为15mm2以上的晶体为高灵敏度晶体。
同时需要注意分辨率指标,一般来说晶体面积越小,分辨率越好。晶体面积越大,分辨率数会越大。当分辨率满足170eV内时,应选择较大的晶体,已获得较好的灵敏度和分析效率。当然晶体面积与价格成正比。

SDD 晶体与Si(Li) 晶体在技术上有何不同?
SDD晶体技术是一种新的技术,出现在市场上约6-7年时间。
国内市场常见到的有晶体面积 5mm2 8mm2,10mm2
由于该晶体的厚度仅有0.3mm., 因此对高能端的元素探测器效率较低。而对低能端的元素具有较好的探测器效率。因此,该种晶体的探测器适用于11-29号Ka线范围和其它La线元素的分析。目前这种技术仍在完善中。一般常用于扫描电镜能谱仪上使用。在荧光能谱仪上不适合多元素同时分析的工作
Si(Li) 晶体具有较长时间的生产历史,(20世纪60年开始面试)具有稳定的性能,分析元素范围可达 4号Be -- 92号 U  晶体厚度达3mm以上。可满足高能端元素的分析要求。适合多元素同时分析要求
           Si(Li)晶体           丨      SDD 晶体
晶体面积    10mm2,15mm2,30mm2 50mm2  丨    5mm2    8mm2,10mm2,30mm2
晶体厚度           >3mm           丨        0.3mm
Mn Ka 分辨率    129-155eV           丨    149eV --165eV
Ka 分析元素范围    < 40 KeV        丨     < 10KeV
历史             1968           丨            2002











SDD 与Si Pin 探测器有何区别?
SiPin 探测器通常用于低端荧光能谱仪或者便携式荧光能谱一种。由于其价格低廉,因此仪器造价较低。 适合单元素或少元素的分析
         SiPin晶体              丨        SDD 晶体
晶体面积       5mm2 8mm2 10mm2,    丨      5mm2 8mm2,10mm,30mm2
晶体厚度         >0.3mm                丨     0.3mm
Mn Ka 分辨率    260eV                  149eV --165eV
Ka 分析元素范围    < 10 KeV             丨        < 10KeV
历史             2001              丨    2002
国际市场价格    2000USD-4000USD    丨    12000USD-20000USD
由于该探测器分辨率较差,因此不能分析相邻的元素,如Ni,Cu, Zn 不能同时分析
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白水山石
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资料不错,但不同探测器的分辨率还与其前端的铍窗厚度有很大的关系;
现在SDD已经用于TEM上了,并不只在SEM上用。
sartre
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原文由 tianzhen 发表:
资料不错,但不同探测器的分辨率还与其前端的铍窗厚度有很大的关系;
现在SDD已经用于TEM上了,并不只在SEM上用。

现在都是超薄Be窗了吧
TEM上用SDD和荧光能谱上用SDD都存在一个问题,由于激发的能力足够高,可以激发出重元素的K线系特征X射线,但是SDD由于晶体过薄,对于超过10kev射线吸收能力很差,得不到好的测试结果。所以一般在TEM和荧光能谱上,还是推荐用Si(Li),这样对于高能的射线捕获更好。
这个我也贴个图,大家看看,相互交流,学习

这个图为Si(Li)和Si飘探测器对比图
一般Si(Li)为厚晶体,高能X射线不容易穿过
而Si漂移的,由于现在技术上的限制,不能做的很厚,所以高能X射线会穿过。当然如果那天SDD的可以做到足够厚了,这个肯定是比Si(Li)的先进,但是现在没法做的很厚,所以受到限制。

下图X轴为X射线能量线,Y轴为探测器效率

白水山石
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现在SDD用于TEM和EDX都有成熟的产品了,但用于TEM据我所知只有一家,用于XRF有好几家,但从目前来说名有优势,锂漂移和硅漂移各有优势,但后者用于TEM上听说也能到115EV了,但我没用过.
atlas
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资料不错,刚好要选择不同分辨率的X光仪,不过是用于测镀层厚度的,配SDD与配PIN的价格差不少!
looaoo
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sartre
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原文由 tianzhen 发表:
现在SDD用于TEM和EDX都有成熟的产品了,但用于TEM据我所知只有一家,用于XRF有好几家,但从目前来说名有优势,锂漂移和硅漂移各有优势,但后者用于TEM上听说也能到115EV了,但我没用过.

现在是很多家的EDS和XRF都用SDD了,但是存在问题
你看这个图,在10kev后,SDD损失了很多的特征X射线。
但是Si(Li)损失的少,在32kev后,还有60%的效率。
你说的115ev是什么意思?
sartre
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原文由 atlas 发表:
资料不错,刚好要选择不同分辨率的X光仪,不过是用于测镀层厚度的,配SDD与配PIN的价格差不少!

PIN的只用在低端上,价格确实便宜
但是分辨率260ev
测厚仪,PIN的能测多厚?几层?
Si(Li)的能测几十nm,测六层。。。
sartre
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原文由 atlas 发表:
资料不错,刚好要选择不同分辨率的X光仪,不过是用于测镀层厚度的,配SDD与配PIN的价格差不少!

我这个不是选择不同分辨率
而是选择了不同探测器晶体,当然,这样分辨率也会不一样
主要为了告诉大家,在10keV后,SDD会损失很多特征X射线
sartre
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原文由 looaoo 发表:
不错,正找那

呵呵
需要啥资料,可以和我站内联系,手头有点儿资料,但是不多。
有些能贴论坛上我就贴,有些是一些厂家的资料,不给他们做免费广告,我就不贴了
白水山石
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原文由 sartre 发表:
原文由 tianzhen 发表:
现在SDD用于TEM和EDX都有成熟的产品了,但用于TEM据我所知只有一家,用于XRF有好几家,但从目前来说名有优势,锂漂移和硅漂移各有优势,但后者用于TEM上听说也能到115EV了,但我没用过.

现在是很多家的EDS和XRF都用SDD了,但是存在问题
你看这个图,在10kev后,SDD损失了很多的特征X射线。
但是Si(Li)损失的少,在32kev后,还有60%的效率。
你说的115ev是什么意思?


115ev指能量分辨率.谢谢
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