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peterhello回复于2009/02/24
agilent仪器中好像叫fragment voltage，范围是70V-250V好像
电压增加可以提高离子的传输效率，对于大分子效果明显一点
曾经分析过一个m/z 1500左右的多肽，随便电压和响应正相关，220V以后稍有下降可能是出现了源内CID
xhcb2007回复于2009/02/26
Thermo TSQ三重四级杆好像没有这样的参数，还是我自己不知道。
dickwang2008回复于2009/02/27
是的，如果这个值太大，引起源内CID，这就相当于增加碰撞能，产生碎片离子。
expl回复于2009/03/03
Agilent的应该叫Fragmentor Voltage (碎裂电压），一般来说分子量越大，电压也要大一些，不过也不能设太高，要考虑是否发生源内CID，这个参数也是要优化的较重要的条件。
原文由 juju11 发表:
Source CID 即Source Collision induced dissociation，源内的碰撞诱导解离，通常在真空接口处调节电压会发生CID现象，一般是用来去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。
那么在大家所用的液质联用仪中，源区的哪个参数调节后会影响或者产生这种现象呢？如果遇到这种现象，你是怎么处理的呢？这种现象的产生对于你的检测是有利的，还是有害的？这种现象的产生对我们定量会不会有影响，有什么样的影响呢？
欢迎大家结合自己的经历，与大家一起分享一下。请大家在回帖时把仪器的具体型号、对应的仪器参数名称，和所做的化合物名称、性质等介绍详细一些。
原文由 zhufangwei 发表:原文由 juju11 发表:
Source CID 即Source Collision induced dissociation，源内的碰撞诱导解离，通常在真空接口处调节电压会发生CID现象，一般是用来去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。
那么在大家所用的液质联用仪中，源区的哪个参数调节后会影响或者产生这种现象呢？如果遇到这种现象，你是怎么处理的呢？这种现象的产生对于你的检测是有利的，还是有害的？这种现象的产生对我们定量会不会有影响，有什么样的影响呢？
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Thermo TSQ三重四级杆好像没有这样的参数，还是我自己不知道。
原文由 zhufangwei 发表:原文由 juju11 发表:
Source CID 即Source Collision induced dissociation，源内的碰撞诱导解离，通常在真空接口处调节电压会发生CID现象，一般是用来去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。
那么在大家所用的液质联用仪中，源区的哪个参数调节后会影响或者产生这种现象呢？如果遇到这种现象，你是怎么处理的呢？这种现象的产生对于你的检测是有利的，还是有害的？这种现象的产生对我们定量会不会有影响，有什么样的影响呢？
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Thermo TSQ三重四级杆好像没有这样的参数，还是我自己不知道。
原文由 juju11 发表:
Source CID 即Source Collision induced dissociation，源内的碰撞诱导解离，通常在真空接口处调节电压会发生CID现象，一般是用来去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。
那么在大家所用的液质联用仪中，源区的哪个参数调节后会影响或者产生这种现象呢？如果遇到这种现象，你是怎么处理的呢？这种现象的产生对于你的检测是有利的，还是有害的？这种现象的产生对我们定量会不会有影响，有什么样的影响呢？
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