主题:【讨论】关于TEM试样中Cu污染的问题

浏览0 回复30 电梯直达
pplj82
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也想再做一个试样,但是这个试样已经花了老板750刀,而且不知道铜是从哪里来的,实在是开不了口啊,
蓝莓口香糖
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蓝莓口香糖
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Cu和Zr信号分布很相似,Zr_K系能量恰好是Cu_K的两倍。我怀疑那个Cu信号是由于Zr的信号激发了铜环的Cu_K,但是剩余的能量形成的逃逸峰又恰好和这个Cu_K再次重合,所以表面看来只出现了一个多余的Cu_K峰。按说这个峰的强度应该远小于TEM光源处硬X射线在铜环上激发的Cu峰,所以Zr的激发作用不应该看起来这么强。
请说明一下实验条件,包括TEM型号,电压,样品台类型,以及在装样品时FIB样品哪个面朝上。
pplj82
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在B4C处的点分析数据

Element    Weight%    Atomic%   
B K    44.25    50.38   
C K    45.50    46.63   
O K    1.52    1.17   
Al K    0.51    0.23   
Cu K    8.23    1.59   
           
Totals    100.00   

这个是界面处,在最粗的那个反应相根部位置分析的

Element    Weight%    Atomic%   
B K    12.88    28.50   
C K    25.59    50.96   
O K    1.06    1.59   
Al K    1.72    1.53   
Cu K    17.71    6.67   
Zr K    41.03    10.76   
           
Totals    100.00       
   
TEM型号JEM-2100,电压200kV,样品台是双倾台,至于放的方向,试样做过好几次,两面都放过。
pplj82
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原文由 drizzlemiao 发表:
Cu和Zr信号分布很相似,Zr_K系能量恰好是Cu_K的两倍。我怀疑那个Cu信号是由于Zr的信号激发了铜环的Cu_K,但是剩余的能量形成的逃逸峰又恰好和这个Cu_K再次重合,所以表面看来只出现了一个多余的Cu_K峰。按说这个峰的强度应该远小于TEM光源处硬X射线在铜环上激发的Cu峰,所以Zr的激发作用不应该看起来这么强。
请说明一下实验条件,包括TEM型号,电压,样品台类型,以及在装样品时FIB样品哪个面朝上。


按版主的说法,我这个Cu峰应该是Zr_K激发铜环的Cu_K后,剩余能量形成的逃逸峰?虽然Zr_K的能量基本上是两倍左右Cu_K的能量,但是还是有区别。Zr_K(alpha): 15.747ev,Zr_K(beta):17.669ev. Cu_K(alpha):8.04ev,Cu_K(beta):8.9ev.按理说剩余能量的逃逸峰值和Cu的峰值出现位置是有些微差别的,但是根据我做的点分析结果,Cu峰出现的位置是正好的8.04和8.9的位置。不太像是逃逸峰的结果。

“TEM光源处硬X射线在铜环上激发的Cu峰”这个怎么和我界面处的Cu峰相对应,麻烦斑竹多费些口水,我不是很明白。感谢啊。

我发现Cu峰出现的位置,也是Zr峰出现的位置,所以一直想把这两者联系起来,找个说法。版主你能不能把你的idea解释得更详细些啊。
蓝莓口香糖
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Cu峰在TEM的EDS测量中很常见,主要来源是光源处的硬X射线在铜环上激发出信号被探头收集到。但是这种情况样品应该到处都得到强度相似的Cu峰,不应该只是在界面处出现。所以我觉得你遇到的不是这个问题。
根据Cu和Zr信号分布的相似性,二者应该是有联系的,但是原料纯度足够高,FIB制样不会引入铜污染。所以界面处看到的Cu应该跟样品制备无关。
排除上面两个因素,那激发Cu峰的信号应该来自样品内部。你的样品只有Zr比Cu原子序数大,能产生能量足够高的X光子,结合看到的Zr和Cu信号的相似性。我猜测Cu就是由Zr激发的。
蓝莓口香糖
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我的猜测是那个峰主要是Zr激发的Cu_K,逃逸峰在周围离得很近。出现这样的情况不常见,可能和当时的几何位置有关。FIB样品很小,而且是粘在铜支柱的一侧,有可能出现遮挡。比如,样品在铜支柱的左下,而EDS探头在右上,铜支柱的厚度至少有20微米,甚至更厚,这就相当于在样品和探头之间有一堵铜墙。TEM中EDS探头离样品很近,如果样品没有适当倾转,有可能完全处于铜支柱的阴影中,那么Zr的信号就会在铜支柱上激发Cu峰。
这些都是猜测,需要验证。最好再做一次TEM,放样品的时候注意,让样品进入电镜后位于铜支柱的上表面,然后向探头倾转11度左右再采集信号,看看是否界面处仍然有很强的Cu信号。SEM中没看到铜,可能是因为恰好铜环被放置成样品朝上,并且探头离样品较远。
pplj82
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原文由 drizzlemiao 发表:
你的样品只有Zr比Cu原子序数大,能产生能量足够高的X光子,结合看到的Zr和Cu信号的相似性。我猜测Cu就是由Zr激发的。


版主,我还是想不通,Zr怎么激发出铜峰的。入射束过来,激发出Zr_K,Zr_K激发哪里的Cu,铜支撑架上的么。即便是激发铜支撑架上Cu,得到的Cu峰,为什么,线扫描的时候Cu出现在界面上啊。在界面位置,Zr_K应该是激发了另一种元素,然后产生的逃逸风和Cu峰重叠。这么说的话,你的意思是我本来界面上就有铜?
蓝莓口香糖
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我的意思是说界面上没有铜,但是有很多Zr。样品离FIB铜环的支柱很近,再加上装样品时位置不合理,使得界面处的Zr信号射到旁边的铜支柱上,产生了Cu峰。
你用的铜环是商用的FIB专用铜环,不是自己切开的半个普通铜环吧?
EDS点分析比较有用的是图,不是定量出来的数据。如果峰本身有问题,定量出来的东西是错的。
蓝莓口香糖
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仔细看看图谱里的Cu峰和周围小峰,对分析可能有帮助。
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