原文由 drizzlemiao 发表:
Cu和Zr信号分布很相似,Zr_K系能量恰好是Cu_K的两倍。我怀疑那个Cu信号是由于Zr的信号激发了铜环的Cu_K,但是剩余的能量形成的逃逸峰又恰好和这个Cu_K再次重合,所以表面看来只出现了一个多余的Cu_K峰。按说这个峰的强度应该远小于TEM光源处硬X射线在铜环上激发的Cu峰,所以Zr的激发作用不应该看起来这么强。
请说明一下实验条件,包括TEM型号,电压,样品台类型,以及在装样品时FIB样品哪个面朝上。
按版主的说法,我这个Cu峰应该是Zr_K激发铜环的Cu_K后,剩余能量形成的逃逸峰?虽然Zr_K的能量基本上是两倍左右Cu_K的能量,但是还是有区别。Zr_K(alpha): 15.747ev,Zr_K(beta):17.669ev. Cu_K(alpha):8.04ev,Cu_K(beta):8.9ev.按理说剩余能量的逃逸峰值和Cu的峰值出现位置是有些微差别的,但是根据我做的点分析结果,Cu峰出现的位置是正好的8.04和8.9的位置。不太像是逃逸峰的结果。
“TEM光源处硬X射线在铜环上激发的Cu峰”这个怎么和我界面处的Cu峰相对应,麻烦斑竹多费些口水,我不是很明白。感谢啊。
我发现Cu峰出现的位置,也是Zr峰出现的位置,所以一直想把这两者联系起来,找个说法。版主你能不能把你的idea解释得更详细些啊。